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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-matriciCSD75205W1015
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Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

CSD75205W1015 - Texas Instruments

fabbricante Modello di prodotti
CSD75205W1015
fabbricante
Texas Instruments
Allelco Modello di prodotti
32D-CSD75205W1015
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET 2P-CH 20V 1.2A 6DSBGA
Descrizione dettagliata
Pacchetto
6-UFBGA, DSBGA
Scheda dati
CSD75205W1015.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 4770

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche CSD75205W1015
Specifiche tecniche Texas Instruments - CSD75205W1015, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Texas Instruments - CSD75205W1015

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Texas Instruments  
Vgs (th) (max) a Id 850mV @ 250µA  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore 6-DSBGA (1x1.5)  
Serie NexFET™  
Rds On (max) a Id, Vgs 120mOhm @ 1A, 4.5V  
Potenza - Max 750mW  
Contenitore / involucro 6-UFBGA, DSBGA  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 265pF @ 10V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 2.2nC @ 4.5V  
Caratteristica FET Logic Level Gate  
Tensione drain-source (Vdss) 20V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 1.2A  
Configurazione 2 P-Channel (Dual)  
Numero di prodotto di base CSD75205  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Texas Instruments CSD75205W1015

Proprietà del prodotto CSD75205W1015 CSD83325LT CSD75211W1723 CSD75207W15
Modello di prodotti CSD75205W1015 CSD83325LT CSD75211W1723 CSD75207W15
fabbricante Texas Instruments Texas Instruments Texas Instruments Texas Instruments
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 1.2A - 4.5A 3.9A
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Potenza - Max 750mW 2.3W 1.5W 700mW
Configurazione 2 P-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) Common Drain 2 P-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual) Common Source
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Vgs (th) (max) a Id 850mV @ 250µA 1.25V @ 250µA 1.1V @ 250µA 1.1V @ 250µA
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 265pF @ 10V - 600pF @ 10V 595pF @ 10V
Tensione drain-source (Vdss) 20V 12V 20V -
Contenitore / involucro 6-UFBGA, DSBGA 6-XFBGA 12-UFBGA, DSBGA 9-UFBGA, DSBGA
Contenitore dispositivo fornitore 6-DSBGA (1x1.5) 6-PicoStar 12-DSBGA 9-DSBGA
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 2.2nC @ 4.5V 10.9nC @ 4.5V 5.9nC @ 4.5V 3.7nC @ 4.5V
Serie NexFET™ NexFET™ NexFET™ NexFET™
Numero di prodotto di base CSD75205 CSD83325 CSD75211 CSD75207
Rds On (max) a Id, Vgs 120mOhm @ 1A, 4.5V - 40mOhm @ 2A, 4.5V 162mOhm @ 1A, 1.8V
Caratteristica FET Logic Level Gate - Logic Level Gate Logic Level Gate

CSD75205W1015 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica CSD75205W1015 PDF e la documentazione Texas Instruments per CSD75205W1015 - Texas Instruments.

PCN Obsolescence/ EOL
Multiple Devices 20/Feb/2014.pdf

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
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