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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloCSD22204W
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Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

CSD22204W - Texas Instruments

fabbricante Modello di prodotti
CSD22204W
fabbricante
Texas Instruments
Allelco Modello di prodotti
32D-CSD22204W
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET P-CH 8V 5A 9DSBGA
Descrizione dettagliata
Pacchetto
9-UFBGA, DSBGA
Scheda dati
CSD22204W.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 61440

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche CSD22204W
Specifiche tecniche Texas Instruments - CSD22204W, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Texas Instruments - CSD22204W

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Texas Instruments  
Vgs (th) (max) a Id 950mV @ 250µA  
Vgs (Max) -6V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore 9-DSBGA  
Serie NexFET™  
Rds On (max) a Id, Vgs 9.9mOhm @ 2A, 4.5V  
Dissipazione di potenza (max) 1.7W (Ta)  
Contenitore / involucro 9-UFBGA, DSBGA  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1130 pF @ 4 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 24.6 nC @ 4.5 V  
Tipo FET P-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V  
Tensione drain-source (Vdss) 8 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 5A (Ta)  
Numero di prodotto di base CSD22204  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Texas Instruments CSD22204W

Proprietà del prodotto CSD22204W CSD23202W10 CSD23280F3T CSD23203W
Modello di prodotti CSD22204W CSD23202W10 CSD23280F3T CSD23203W
fabbricante Texas Instruments Texas Instruments Texas Instruments Texas Instruments
Tensione drain-source (Vdss) 8 V 12 V 12 V 8 V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 24.6 nC @ 4.5 V 3.8 nC @ 4.5 V 1.23 nC @ 4.5 V 6.3 nC @ 4.5 V
Dissipazione di potenza (max) 1.7W (Ta) 1W (Ta) 500mW (Ta) 750mW (Ta)
Vgs (th) (max) a Id 950mV @ 250µA 900mV @ 250µA 950mV @ 250µA 1.1V @ 250µA
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (max) a Id, Vgs 9.9mOhm @ 2A, 4.5V 53mOhm @ 500mA, 4.5V 116mOhm @ 400mA, 4.5V 19.4mOhm @ 1.5A, 4.5V
Caratteristica FET - - - -
Contenitore / involucro 9-UFBGA, DSBGA 4-UFBGA, DSBGA 3-XFDFN 6-UFBGA, DSBGA
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 5A (Ta) 2.2A (Ta) 1.8A (Ta) 3A (Ta)
Vgs (Max) -6V -6V -6V -6V
Contenitore dispositivo fornitore 9-DSBGA 4-DSBGA (1x1) 3-PICOSTAR 6-DSBGA (1x1.5)
Numero di prodotto di base CSD22204 CSD23202 CSD23280 CSD23203
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1130 pF @ 4 V 512 pF @ 6 V 234 pF @ 6 V 914 pF @ 4 V
Serie NexFET™ NexFET™ FemtoFET™ NexFET™
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V 1.5V, 4.5V 1.5V, 4.5V 1.8V, 4.5V
Tipo FET P-Channel P-Channel P-Channel P-Channel

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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