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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloCSD19538Q2
Texas Instruments
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

CSD19538Q2 - Texas Instruments

fabbricante Modello di prodotti
CSD19538Q2
fabbricante
Texas Instruments
Allelco Modello di prodotti
32D-CSD19538Q2
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 100V 14.4A 6WSON
Descrizione dettagliata
Pacchetto
6-WDFN Exposed Pad
Scheda dati
CSD19538Q2.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 198330

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche CSD19538Q2
Specifiche tecniche Texas Instruments - CSD19538Q2, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Texas Instruments - CSD19538Q2

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Texas Instruments  
Vgs (th) (max) a Id 3.8V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore 6-WSON (2x2)  
Serie NexFET™  
Rds On (max) a Id, Vgs 59mOhm @ 5A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 2.5W (Ta), 20.2W (Tc)  
Contenitore / involucro 6-WDFN Exposed Pad  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 454 pF @ 50 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 5.6 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 100 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 14.4A (Ta)  
Numero di prodotto di base CSD19538  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Texas Instruments CSD19538Q2

Proprietà del prodotto CSD19538Q2 CSD22202W15 CSD19535KTT CSD19538Q2T
Modello di prodotti CSD19538Q2 CSD22202W15 CSD19535KTT CSD19538Q2T
fabbricante Texas Instruments Texas Instruments Texas Instruments Texas Instruments
Tipo FET N-Channel P-Channel N-Channel N-Channel
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Caratteristica FET - - - -
Numero di prodotto di base CSD19538 CSD22202 CSD19535 CSD19538
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 454 pF @ 50 V 1390 pF @ 4 V 7930 pF @ 50 V 454 pF @ 50 V
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Vgs (th) (max) a Id 3.8V @ 250µA 1.1V @ 250µA 3.4V @ 250µA 3.8V @ 250µA
Dissipazione di potenza (max) 2.5W (Ta), 20.2W (Tc) 1.5W (Ta) 300W (Tc) 2.5W (Ta), 20.2W (Tc)
Tensione drain-source (Vdss) 100 V 8 V 100 V 100 V
Contenitore dispositivo fornitore 6-WSON (2x2) 9-DSBGA DDPAK/TO-263-3 6-WSON (2x2)
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 5.6 nC @ 10 V 8.4 nC @ 4.5 V 98 nC @ 10 V 5.6 nC @ 10 V
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V 2.5V, 4.5V 6V, 10V 6V, 10V
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Contenitore / involucro 6-WDFN Exposed Pad 9-UFBGA, DSBGA TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA 6-WDFN Exposed Pad
Serie NexFET™ NexFET™ NexFET™ NexFET™
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V -6V ±20V ±20V
Rds On (max) a Id, Vgs 59mOhm @ 5A, 10V 12.2mOhm @ 2A, 4.5V 3.4mOhm @ 100A, 10V 59mOhm @ 5A, 10V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 14.4A (Ta) 10A (Ta) 200A (Ta) 13.1A (Tc)

CSD19538Q2 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica CSD19538Q2 PDF e la documentazione Texas Instruments per CSD19538Q2 - Texas Instruments.

Assemblaggio/origine PCN
Mult Devices 23/Oct/2017.pdf

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