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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloCSD19538Q2T
Texas Instruments
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

CSD19538Q2T - Texas Instruments

fabbricante Modello di prodotti
CSD19538Q2T
fabbricante
Texas Instruments
Allelco Modello di prodotti
32D-CSD19538Q2T
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 100V 13.1A 6WSON
Descrizione dettagliata
Pacchetto
6-WDFN Exposed Pad
Scheda dati
CSD19538Q2T.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 42080

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche CSD19538Q2T
Specifiche tecniche Texas Instruments - CSD19538Q2T, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Texas Instruments - CSD19538Q2T

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Texas Instruments  
Vgs (th) (max) a Id 3.8V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore 6-WSON (2x2)  
Serie NexFET™  
Rds On (max) a Id, Vgs 59mOhm @ 5A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 2.5W (Ta), 20.2W (Tc)  
Contenitore / involucro 6-WDFN Exposed Pad  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 454 pF @ 50 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 5.6 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 100 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 13.1A (Tc)  
Numero di prodotto di base CSD19538  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Texas Instruments CSD19538Q2T

Proprietà del prodotto CSD19538Q2T CSD19536KTTT CSD19537Q3 CSD19535KTT
Modello di prodotti CSD19538Q2T CSD19536KTTT CSD19537Q3 CSD19535KTT
fabbricante Texas Instruments Texas Instruments Texas Instruments Texas Instruments
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 13.1A (Tc) 200A (Ta) 50A (Ta) 200A (Ta)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Rds On (max) a Id, Vgs 59mOhm @ 5A, 10V 2.4mOhm @ 100A, 10V 14.5mOhm @ 10A, 10V 3.4mOhm @ 100A, 10V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 5.6 nC @ 10 V 153 nC @ 10 V 21 nC @ 10 V 98 nC @ 10 V
Contenitore dispositivo fornitore 6-WSON (2x2) DDPAK/TO-263-3 8-VSON (3.3x3.3) DDPAK/TO-263-3
Numero di prodotto di base CSD19538 CSD19536 CSD19537 CSD19535
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Serie NexFET™ NexFET™ NexFET™ NexFET™
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (th) (max) a Id 3.8V @ 250µA 3.2V @ 250µA 3.6V @ 250µA 3.4V @ 250µA
Contenitore / involucro 6-WDFN Exposed Pad TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA 8-PowerVDFN TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA
Tensione drain-source (Vdss) 100 V 100 V 100 V 100 V
Dissipazione di potenza (max) 2.5W (Ta), 20.2W (Tc) 375W (Tc) 2.8W (Ta), 83W (Tc) 300W (Tc)
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V 6V, 10V 6V, 10V 6V, 10V
Caratteristica FET - - - -
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 454 pF @ 50 V 12000 pF @ 50 V 1680 pF @ 50 V 7930 pF @ 50 V
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount

CSD19538Q2T Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica CSD19538Q2T PDF e la documentazione Texas Instruments per CSD19538Q2T - Texas Instruments.

Assemblaggio/origine PCN
Mult Devices 23/Oct/2017.pdf

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Giappone 4
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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