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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloCSD18510KCS
Texas Instruments
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

CSD18510KCS - Texas Instruments

fabbricante Modello di prodotti
CSD18510KCS
fabbricante
Texas Instruments
Allelco Modello di prodotti
32D-CSD18510KCS
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 40V 200A TO220-3
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-220-3
Scheda dati
CSD18510KCS.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 30030

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche CSD18510KCS
Specifiche tecniche Texas Instruments - CSD18510KCS, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Texas Instruments - CSD18510KCS

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Texas Instruments  
Vgs (th) (max) a Id 2.3V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-220-3  
Serie NexFET™  
Rds On (max) a Id, Vgs 1.7mOhm @ 100A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 250W (Ta)  
Contenitore / involucro TO-220-3  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 11400 pF @ 20 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 75 nC @ 4.5 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 40 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 200A (Ta)  
Numero di prodotto di base CSD18510  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Texas Instruments CSD18510KCS

Proprietà del prodotto CSD18510KCS CSD18509Q5BT CSD18504KCS CSD18513Q5A
Modello di prodotti CSD18510KCS CSD18509Q5BT CSD18504KCS CSD18513Q5A
fabbricante Texas Instruments Texas Instruments Texas Instruments Texas Instruments
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 200A (Ta) 100A (Ta) 53A (Ta), 100A (Tc) 124A (Tc)
Rds On (max) a Id, Vgs 1.7mOhm @ 100A, 10V 1.2mOhm @ 32A, 10V 7mOhm @ 40A, 10V 5.3mOhm @ 19A, 10V
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs (th) (max) a Id 2.3V @ 250µA 2.2V @ 250µA 2.3V @ 250µA 2.4V @ 250µA
Numero di prodotto di base CSD18510 CSD18509 CSD18504 CSD18513
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 11400 pF @ 20 V 13900 pF @ 20 V 1800 pF @ 20 V 4280 pF @ 20 V
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Dissipazione di potenza (max) 250W (Ta) 3.1W (Ta), 195W (Tc) 115W (Tc) 96W (Tc)
Pacchetto Tube Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR)
Contenitore dispositivo fornitore TO-220-3 8-VSON-CLIP (5x6) TO-220-3 8-VSONP (5x6)
Serie NexFET™ NexFET™ NexFET™ NexFET™
Contenitore / involucro TO-220-3 8-PowerTDFN TO-220-3 8-PowerTDFN
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 75 nC @ 4.5 V 195 nC @ 10 V 25 nC @ 10 V 61 nC @ 10 V
Tipo montaggio Through Hole Surface Mount Through Hole Surface Mount
Caratteristica FET - - - -
Tensione drain-source (Vdss) 40 V 40 V 40 V 40 V

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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