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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloCSD18514Q5A
Texas Instruments
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.
OPZIONE ESPRIT
Metodo di pagamento

CSD18514Q5A - Texas Instruments

fabbricante Modello di prodotti
CSD18514Q5A
fabbricante
Texas Instruments
Allelco Modello di prodotti
32D-CSD18514Q5A
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 40V 89A 8VSON
Pacchetto
8-PowerTDFN
Scheda dati
CSD18514Q5A.pdf
Stato RoHS
La nostra certificazione
In magazzino: 79180

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Specifiche

Specifiche tecnologiche CSD18514Q5A
Specifiche tecniche Texas Instruments - CSD18514Q5A, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Texas Instruments - CSD18514Q5A

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Texas Instruments  
Vgs (th) (max) a Id 2.4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore 8-VSONP (5x6)  
Serie NexFET™  
Rds On (max) a Id, Vgs 7.9mOhm @ 15A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 74W (Tc)  
Contenitore / involucro 8-PowerTDFN  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2680 pF @ 20 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 38 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 40 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 89A (Tc)  
Numero di prodotto di base CSD18514  

Classificazioni ambientali e di esportazione

ATTRIBUTO DESCRIZIONE
Stato RoHS
Livello di sensibilità all'umidità (MSL) 1 (Unlimited)
Raggiungere lo stato REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Texas Instruments CSD18514Q5A

Proprietà del prodotto CSD18514Q5A CSD18514Q5AT CSD18532Q5BT CSD18532NQ5B
Modello di prodotti CSD18514Q5A CSD18514Q5AT CSD18532Q5BT CSD18532NQ5B
fabbricante Texas Instruments Texas Instruments Texas Instruments Texas Instruments
Contenitore dispositivo fornitore 8-VSONP (5x6) 8-VSONP (5x6) 8-VSONP (5x6) 8-VSON-CLIP (5x6)
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 6V, 10V
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN
Serie NexFET™ NexFET™ NexFET™ NexFET™
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Numero di prodotto di base CSD18514 CSD18514 CSD18532 CSD18532
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2680 pF @ 20 V 2683 pF @ 20 V 5070 pF @ 30 V 5340 pF @ 30 V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 89A (Tc) 89A (Tc) 100A (Ta) 22A (Ta), 100A (Tc)
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 38 nC @ 10 V 40 nC @ 10 V 58 nC @ 10 V 64 nC @ 10 V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Rds On (max) a Id, Vgs 7.9mOhm @ 15A, 10V 7.9mOhm @ 15A, 10V 3.2mOhm @ 25A, 10V 3.4mOhm @ 25A, 10V
Tensione drain-source (Vdss) 40 V 40 V 60 V 60 V
Dissipazione di potenza (max) 74W (Tc) 74W (Tc) 3.2W (Ta), 156W (Tc) 3.2W (Ta)
Caratteristica FET - - - -
Vgs (th) (max) a Id 2.4V @ 250µA 2.4V @ 250µA 2.2V @ 250µA 3.4V @ 250µA

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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