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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloCSD18504KCS
CSD18504KCS Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

CSD18504KCS - Texas Instruments

fabbricante Modello di prodotti
CSD18504KCS
fabbricante
Texas Instruments
Allelco Modello di prodotti
32D-CSD18504KCS
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 40V 53A/100A TO220-3
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-220-3
Scheda dati
CSD18504KCS.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 63730

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche CSD18504KCS
Specifiche tecniche Texas Instruments - CSD18504KCS, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Texas Instruments - CSD18504KCS

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Texas Instruments  
Vgs (th) (max) a Id 2.3V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-220-3  
Serie NexFET™  
Rds On (max) a Id, Vgs 7mOhm @ 40A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 115W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-220-3  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1800 pF @ 20 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 25 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 40 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 53A (Ta), 100A (Tc)  
Numero di prodotto di base CSD18504  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Texas Instruments CSD18504KCS

Proprietà del prodotto CSD18504KCS CSD18502Q5B CSD18509Q5B CSD18511Q5A
Modello di prodotti CSD18504KCS CSD18502Q5B CSD18509Q5B CSD18511Q5A
fabbricante Texas Instruments Texas Instruments Texas Instruments Texas Instruments
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 53A (Ta), 100A (Tc) 26A (Ta), 100A (Tc) 100A (Ta) 159A (Tc)
Contenitore / involucro TO-220-3 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN
Vgs (th) (max) a Id 2.3V @ 250µA 2.2V @ 250µA 2.2V @ 250µA 2.45V @ 250µA
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Numero di prodotto di base CSD18504 CSD18502 CSD18509 CSD18511
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Caratteristica FET - - - -
Tensione drain-source (Vdss) 40 V 40 V 40 V 40 V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 25 nC @ 10 V 68 nC @ 10 V 195 nC @ 10 V 63 nC @ 10 V
Pacchetto Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Rds On (max) a Id, Vgs 7mOhm @ 40A, 10V 2.3mOhm @ 30A, 10V 1.2mOhm @ 32A, 10V 3.5mOhm @ 24A, 4.5V
Contenitore dispositivo fornitore TO-220-3 8-VSON-CLIP (5x6) 8-VSON-CLIP (5x6) 8-VSONP (5x6)
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Tipo montaggio Through Hole Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Serie NexFET™ NexFET™ NexFET™ NexFET™
Dissipazione di potenza (max) 115W (Tc) 3.2W (Ta), 156W (Tc) 3.1W (Ta), 195W (Tc) 104W (Tc)
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1800 pF @ 20 V 5070 pF @ 20 V 13900 pF @ 20 V 5850 pF @ 10 V

CSD18504KCS Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica CSD18504KCS PDF e la documentazione Texas Instruments per CSD18504KCS - Texas Instruments.

Assemblaggio/origine PCN
Site Chg 25/Jan/2016.pdf

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