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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloCSD17570Q5BT
Texas Instruments
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

CSD17570Q5BT - Texas Instruments

fabbricante Modello di prodotti
CSD17570Q5BT
fabbricante
Texas Instruments
Allelco Modello di prodotti
32D-CSD17570Q5BT
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 30V 100A 8VSON
Descrizione dettagliata
Pacchetto
8-PowerTDFN
Scheda dati
CSD17570Q5BT.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 24395

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche CSD17570Q5BT
Specifiche tecniche Texas Instruments - CSD17570Q5BT, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Texas Instruments - CSD17570Q5BT

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Texas Instruments  
Vgs (th) (max) a Id 1.9V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore 8-VSON-CLIP (5x6)  
Serie NexFET™  
Rds On (max) a Id, Vgs 0.69mOhm @ 50A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 3.2W (Ta)  
Contenitore / involucro 8-PowerTDFN  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 13600 pF @ 15 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 121 nC @ 4.5 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 30 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 100A (Ta)  
Numero di prodotto di base CSD17570Q5  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Texas Instruments CSD17570Q5BT

Proprietà del prodotto CSD17570Q5BT CSD17573Q5B CSD17577Q3A CSD17576Q5B
Modello di prodotti CSD17570Q5BT CSD17573Q5B CSD17577Q3A CSD17576Q5B
fabbricante Texas Instruments Texas Instruments Texas Instruments Texas Instruments
Contenitore / involucro 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN 8-PowerVDFN 8-PowerTDFN
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 100A (Ta) 100A (Ta) 35A (Ta) 100A (Ta)
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Dissipazione di potenza (max) 3.2W (Ta) 3.2W (Ta), 195W (Tc) 2.8W (Ta), 53W (Tc) 3.1W (Ta), 125W (Tc)
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Vgs (th) (max) a Id 1.9V @ 250µA 1.8V @ 250µA 1.8V @ 250µA 1.8V @ 250µA
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 121 nC @ 4.5 V 64 nC @ 4.5 V 35 nC @ 10 V 68 nC @ 10 V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 13600 pF @ 15 V 9000 pF @ 15 V 2310 pF @ 15 V 4430 pF @ 15 V
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Rds On (max) a Id, Vgs 0.69mOhm @ 50A, 10V 1mOhm @ 35A, 10V 4.8mOhm @ 16A, 10V 2mOhm @ 25A, 10V
Numero di prodotto di base CSD17570Q5 CSD17573Q5 CSD17577 CSD17576Q5
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Contenitore dispositivo fornitore 8-VSON-CLIP (5x6) 8-VSON-CLIP (5x6) 8-VSONP (3x3.3) 8-VSONP (5x6)
Serie NexFET™ NexFET™ NexFET™ NexFET™
Caratteristica FET - - - -
Tensione drain-source (Vdss) 30 V 30 V 30 V 30 V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)

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Europa Germania 5
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Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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