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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloCSD17573Q5B
Texas Instruments
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

CSD17573Q5B - Texas Instruments

fabbricante Modello di prodotti
CSD17573Q5B
fabbricante
Texas Instruments
Allelco Modello di prodotti
32D-CSD17573Q5B
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 30V 100A 8VSON
Descrizione dettagliata
Pacchetto
8-PowerTDFN
Scheda dati
CSD17573Q5B.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 62240

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche CSD17573Q5B
Specifiche tecniche Texas Instruments - CSD17573Q5B, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Texas Instruments - CSD17573Q5B

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Texas Instruments  
Vgs (th) (max) a Id 1.8V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore 8-VSON-CLIP (5x6)  
Serie NexFET™  
Rds On (max) a Id, Vgs 1mOhm @ 35A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 3.2W (Ta), 195W (Tc)  
Contenitore / involucro 8-PowerTDFN  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 9000 pF @ 15 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 64 nC @ 4.5 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 30 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 100A (Ta)  
Numero di prodotto di base CSD17573Q5  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Texas Instruments CSD17573Q5B

Proprietà del prodotto CSD17573Q5B CSD17552Q3A CSD17577Q3AT CSD17559Q5
Modello di prodotti CSD17573Q5B CSD17552Q3A CSD17577Q3AT CSD17559Q5
fabbricante Texas Instruments Texas Instruments Texas Instruments Texas Instruments
Caratteristica FET - - - -
Rds On (max) a Id, Vgs 1mOhm @ 35A, 10V 6mOhm @ 11A, 10V 4.8mOhm @ 16A, 10V 1.15mOhm @ 40A, 10V
Contenitore dispositivo fornitore 8-VSON-CLIP (5x6) 8-SON (3.3x3.3) 8-VSONP (3x3.3) 8-VSON-CLIP (5x6)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Vgs (th) (max) a Id 1.8V @ 250µA 1.9V @ 250µA 1.8V @ 250µA 1.7V @ 250µA
Contenitore / involucro 8-PowerTDFN 8-PowerVDFN 8-PowerVDFN 8-PowerTDFN
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 64 nC @ 4.5 V 12 nC @ 4.5 V 35 nC @ 10 V 51 nC @ 4.5 V
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 9000 pF @ 15 V 2050 pF @ 15 V 2310 pF @ 15 V 9200 pF @ 15 V
Tensione drain-source (Vdss) 30 V 30 V 30 V 30 V
Serie NexFET™ NexFET™ NexFET™ NexFET™
Dissipazione di potenza (max) 3.2W (Ta), 195W (Tc) 2.6W (Ta) 2.8W (Ta), 53W (Tc) 3.2W (Ta), 96W (Tc)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 100A (Ta) 15A (Ta), 60A (Tc) 35A (Ta) 40A (Ta), 100A (Tc)
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Numero di prodotto di base CSD17573Q5 CSD17552 CSD17577 CSD17559

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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