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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloCSD17551Q3A
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Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

CSD17551Q3A - Texas Instruments

fabbricante Modello di prodotti
CSD17551Q3A
fabbricante
Texas Instruments
Allelco Modello di prodotti
32D-CSD17551Q3A
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 30V 12A 8SON
Descrizione dettagliata
Pacchetto
8-PowerVDFN
Scheda dati
CSD17551Q3A.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 102220

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche CSD17551Q3A
Specifiche tecniche Texas Instruments - CSD17551Q3A, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Texas Instruments - CSD17551Q3A

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Texas Instruments  
Vgs (th) (max) a Id 2.1V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore 8-SON (3.3x3.3)  
Serie NexFET™  
Rds On (max) a Id, Vgs 9mOhm @ 11A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 2.6W (Ta)  
Contenitore / involucro 8-PowerVDFN  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1370 pF @ 15 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 7.8 nC @ 4.5 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 30 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 12A (Tc)  
Numero di prodotto di base CSD17551  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Texas Instruments CSD17551Q3A

Proprietà del prodotto CSD17551Q3A CSD17570Q5B CSD17527Q5A CSD17571Q2
Modello di prodotti CSD17551Q3A CSD17570Q5B CSD17527Q5A CSD17571Q2
fabbricante Texas Instruments Texas Instruments Texas Instruments Texas Instruments
Rds On (max) a Id, Vgs 9mOhm @ 11A, 10V 0.69mOhm @ 50A, 10V 10.8mOhm @ 11A, 10V 29mOhm @ 5A, 4.5V
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 12A (Tc) 100A (Ta) 65A (Tc) 22A (Ta)
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1370 pF @ 15 V 13600 pF @ 15 V 506 pF @ 15 V 468 pF @ 15 V
Caratteristica FET - - - -
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Tensione drain-source (Vdss) 30 V 30 V 30 V 30 V
Vgs (th) (max) a Id 2.1V @ 250µA 1.9V @ 250µA 2V @ 250µA 2V @ 250µA
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Contenitore dispositivo fornitore 8-SON (3.3x3.3) 8-VSON-CLIP (5x6) 8-VSONP (5x6) 6-SON (2x2)
Dissipazione di potenza (max) 2.6W (Ta) 3.2W (Ta) 3W (Ta) 2.5W (Ta)
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 7.8 nC @ 4.5 V 121 nC @ 4.5 V 3.4 nC @ 4.5 V 3.1 nC @ 4.5 V
Contenitore / involucro 8-PowerVDFN 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN 6-WDFN Exposed Pad
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Serie NexFET™ NexFET™ NexFET™ NexFET™
Numero di prodotto di base CSD17551 CSD17570Q5 CSD17527 CSD17571

CSD17551Q3A Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica CSD17551Q3A PDF e la documentazione Texas Instruments per CSD17551Q3A - Texas Instruments.

Packaging PCN
ECAT Label Update 02/Oct/2014.pdf

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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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CSD17551Q3A

Texas Instruments
32D-CSD17551Q3A

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