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Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

BQ4013YMA-70N - Texas Instruments

fabbricante Modello di prodotti
BQ4013YMA-70N
fabbricante
Texas Instruments
Allelco Modello di prodotti
32D-BQ4013YMA-70N
Modello ECAD
Descrizione delle parti
IC NVSRAM 1MBIT PAR 32DIP MODULE
Descrizione dettagliata
Pacchetto
32-DIP Module (0.610', 15.49mm)
Scheda dati
BQ4013YMA-70N.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 6280

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche BQ4013YMA-70N
Specifiche tecniche Texas Instruments - BQ4013YMA-70N, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Texas Instruments - BQ4013YMA-70N

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Texas Instruments  
Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina 70ns  
Tensione di alimentazione - 4.5V ~ 5.5V  
Tecnologia NVSRAM (Non-Volatile SRAM)  
Contenitore dispositivo fornitore 32-DIP Module (18.42x42.8)  
Serie -  
Contenitore / involucro 32-DIP Module (0.610', 15.49mm)  
Pacchetto Tube  
temperatura di esercizio -40°C ~ 85°C (TA)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
Tipo montaggio Through Hole  
Tipo di memoria Non-Volatile  
Dimensione della memoria 1Mbit  
Organizzazione di memoria 128K x 8  
Interfaccia di memoria Parallel  
Formato di memoria NVSRAM  
Numero di prodotto di base BQ4013  
Tempo di accesso 70 ns  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Texas Instruments BQ4013YMA-70N

Proprietà del prodotto BQ4013YMA-70N BQ4010YMA-70 BQ4013MA-85 BQ4011YMA-150
Modello di prodotti BQ4013YMA-70N BQ4010YMA-70 BQ4013MA-85 BQ4011YMA-150
fabbricante Texas Instruments Texas Instruments Texas Instruments Texas Instruments
Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina 70ns 70ns 85ns 150ns
Tipo di memoria Non-Volatile Non-Volatile Non-Volatile Non-Volatile
Interfaccia di memoria Parallel Parallel Parallel Parallel
Organizzazione di memoria 128K x 8 8K x 8 128K x 8 32K x 8
Serie - - - -
temperatura di esercizio -40°C ~ 85°C (TA) 0°C ~ 70°C (TA) 0°C ~ 70°C (TA) 0°C ~ 70°C (TA)
Dimensione della memoria 1Mbit 64Kbit 1Mbit 256Kbit
Contenitore / involucro 32-DIP Module (0.610', 15.49mm) 28-DIP Module (0.61", 15.49mm) 32-DIP Module (0.610", 15.49mm) 28-DIP Module (0.61", 15.49mm)
Tecnologia NVSRAM (Non-Volatile SRAM) NVSRAM (Non-Volatile SRAM) NVSRAM (Non-Volatile SRAM) NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
Numero di prodotto di base BQ4013 BQ4010 BQ4013 BQ4011
Contenitore dispositivo fornitore 32-DIP Module (18.42x42.8) 28-DIP Module (18.42x37.72) 32-DIP Module (18.42x42.8) 28-DIP Module (18.42x37.72)
Formato di memoria NVSRAM NVSRAM NVSRAM NVSRAM
Tensione di alimentazione - 4.5V ~ 5.5V 4.5V ~ 5.5V 4.75V ~ 5.5V 4.5V ~ 5.5V
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Pacchetto Tube Tube Tube Tube
Tempo di accesso 70 ns 70 ns 85 ns 150 ns

BQ4013YMA-70N Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica BQ4013YMA-70N PDF e la documentazione Texas Instruments per BQ4013YMA-70N - Texas Instruments.

PCN Obsolescence/ EOL
Cylindrical Battery Holders.pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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