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CasaCentro di prodottiCircuiti integrati (ICS)MemoriaBQ4013YMA-70
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Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.
OPZIONE ESPRIT
Metodo di pagamento

BQ4013YMA-70 - Texas Instruments

fabbricante Modello di prodotti
BQ4013YMA-70
fabbricante
Texas Instruments
Allelco Modello di prodotti
32D-BQ4013YMA-70
Modello ECAD
Descrizione delle parti
IC NVSRAM 1MBIT PAR 32DIP MODULE
Pacchetto
32-DIP Module (0.610', 15.49mm)
Scheda dati
BQ4013YMA-70.pdf
Stato RoHS
La nostra certificazione
In magazzino: 6260

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Quantità
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Specifiche

Specifiche tecnologiche BQ4013YMA-70
Specifiche tecniche Texas Instruments - BQ4013YMA-70, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Texas Instruments - BQ4013YMA-70

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Texas Instruments  
Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina 70ns  
Tensione di alimentazione - 4.5V ~ 5.5V  
Tecnologia NVSRAM (Non-Volatile SRAM)  
Contenitore dispositivo fornitore 32-DIP Module (18.42x42.8)  
Serie -  
Contenitore / involucro 32-DIP Module (0.610', 15.49mm)  
Pacchetto Tube  
temperatura di esercizio 0°C ~ 70°C (TA)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
Tipo montaggio Through Hole  
Tipo di memoria Non-Volatile  
Dimensione della memoria 1Mbit  
Organizzazione di memoria 128K x 8  
Interfaccia di memoria Parallel  
Formato di memoria NVSRAM  
Numero di prodotto di base BQ4013  
Tempo di accesso 70 ns  

Classificazioni ambientali e di esportazione

ATTRIBUTO DESCRIZIONE
Stato RoHS
Livello di sensibilità all'umidità (MSL) 1 (Unlimited)
Raggiungere lo stato REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS 8542.32.0041

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Texas Instruments BQ4013YMA-70

Proprietà del prodotto BQ4013YMA-70 BQ4015YMA-85 BQ4015YMA-70 BQ4013YMA-85N
Modello di prodotti BQ4013YMA-70 BQ4015YMA-85 BQ4015YMA-70 BQ4013YMA-85N
fabbricante Texas Instruments Texas Instruments Texas Instruments Texas Instruments
Organizzazione di memoria 128K x 8 512K x 8 512K x 8 128K x 8
Numero di prodotto di base BQ4013 BQ4015 BQ4015 BQ4013
Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina 70ns 85ns 70ns 85ns
Tempo di accesso 70 ns 85 ns 70 ns 85 ns
Dimensione della memoria 1Mbit 4Mbit 4Mbit 1Mbit
Contenitore dispositivo fornitore 32-DIP Module (18.42x42.8) 32-DIP Module (18.42x42.8) 32-DIP Module (18.42x42.8) 32-DIP Module (18.42x42.8)
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Tecnologia NVSRAM (Non-Volatile SRAM) NVSRAM (Non-Volatile SRAM) NVSRAM (Non-Volatile SRAM) NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
Contenitore / involucro 32-DIP Module (0.610', 15.49mm) 32-DIP Module (0.610", 15.49mm) 32-DIP Module (0.610', 15.49mm) 32-DIP Module (0.610", 15.49mm)
temperatura di esercizio 0°C ~ 70°C (TA) 0°C ~ 70°C (TA) 0°C ~ 70°C (TA) -40°C ~ 85°C (TA)
Serie - - - -
Formato di memoria NVSRAM NVSRAM NVSRAM NVSRAM
Pacchetto Tube Tube Tube Tube
Tipo di memoria Non-Volatile Non-Volatile Non-Volatile Non-Volatile
Tensione di alimentazione - 4.5V ~ 5.5V 4.5V ~ 5.5V 4.5V ~ 5.5V 4.5V ~ 5.5V
Interfaccia di memoria Parallel Parallel Parallel Parallel

BQ4013YMA-70 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica BQ4013YMA-70 PDF e la documentazione Texas Instruments per BQ4013YMA-70 - Texas Instruments.

PCN Obsolescence/ EOL
Cylindrical Battery Holders.pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Nota:
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Contattaci se hai domande.

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