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BQ4010YMA-85 - Texas Instruments

fabbricante Modello di prodotti
BQ4010YMA-85
fabbricante
Texas Instruments
Allelco Modello di prodotti
32D-BQ4010YMA-85
Modello ECAD
Descrizione delle parti
IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28DIP
Descrizione dettagliata
Pacchetto
28-DIP Module (0.61", 15.49mm)
Scheda dati
BQ4010YMA-85.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 7610

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche BQ4010YMA-85
Specifiche tecniche Texas Instruments - BQ4010YMA-85, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Texas Instruments - BQ4010YMA-85

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Texas Instruments  
Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina 85ns  
Tensione di alimentazione - 4.5V ~ 5.5V  
Tecnologia NVSRAM (Non-Volatile SRAM)  
Contenitore dispositivo fornitore 28-DIP Module (18.42x37.72)  
Serie -  
Contenitore / involucro 28-DIP Module (0.61", 15.49mm)  
Pacchetto Tube  
temperatura di esercizio 0°C ~ 70°C (TA)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
Tipo montaggio Through Hole  
Tipo di memoria Non-Volatile  
Dimensione della memoria 64Kbit  
Organizzazione di memoria 8K x 8  
Interfaccia di memoria Parallel  
Formato di memoria NVSRAM  
Numero di prodotto di base BQ4010  
Tempo di accesso 85 ns  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Texas Instruments BQ4010YMA-85

Proprietà del prodotto BQ4010YMA-85 BQ4013MA-85 BQ4011YMA-150 BQ4010MA-70
Modello di prodotti BQ4010YMA-85 BQ4013MA-85 BQ4011YMA-150 BQ4010MA-70
fabbricante Texas Instruments Benchmarq Texas Instruments Texas Instruments
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Tecnologia NVSRAM (Non-Volatile SRAM) NVSRAM (Non-Volatile SRAM) NVSRAM (Non-Volatile SRAM) NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
Serie - - - -
Dimensione della memoria 64Kbit 1Mbit 256Kbit 64Kbit
Contenitore dispositivo fornitore 28-DIP Module (18.42x37.72) 32-DIP Module (18.42x42.8) 28-DIP Module (18.42x37.72) 28-DIP Module (18.42x37.72)
Tensione di alimentazione - 4.5V ~ 5.5V 4.75V ~ 5.5V 4.5V ~ 5.5V 4.75V ~ 5.5V
Tipo di memoria Non-Volatile Non-Volatile Non-Volatile Non-Volatile
Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina 85ns 85ns 150ns 70ns
Pacchetto Tube Tube Tube Tube
Formato di memoria NVSRAM NVSRAM NVSRAM NVSRAM
Contenitore / involucro 28-DIP Module (0.61", 15.49mm) 32-DIP Module (0.610", 15.49mm) 28-DIP Module (0.61", 15.49mm) 28-DIP Module (0.61", 15.49mm)
Tempo di accesso 85 ns 85 ns 150 ns 70 ns
Interfaccia di memoria Parallel Parallel Parallel Parallel
Numero di prodotto di base BQ4010 BQ4013 BQ4011 BQ4010
temperatura di esercizio 0°C ~ 70°C (TA) 0°C ~ 70°C (TA) 0°C ~ 70°C (TA) 0°C ~ 70°C (TA)
Organizzazione di memoria 8K x 8 128K x 8 32K x 8 8K x 8

BQ4010YMA-85 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica BQ4010YMA-85 PDF e la documentazione Texas Instruments per BQ4010YMA-85 - Texas Instruments.

PCN Obsolescence/ EOL
Multiple Devices 04/Jun/2013.pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Nota:
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