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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-matriciUS6J2TR
Rohm Semiconductor
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

US6J2TR - Rohm Semiconductor

fabbricante Modello di prodotti
US6J2TR
fabbricante
LAPIS Technology
Allelco Modello di prodotti
32D-US6J2TR
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET 2P-CH 20V 1A TUMT6
Descrizione dettagliata
Pacchetto
6-SMD, Flat Leads
Scheda dati
US6J2.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 121450

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche US6J2TR
Specifiche tecniche Rohm Semiconductor - US6J2TR, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Rohm Semiconductor - US6J2TR

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante LAPIS Technology  
Vgs (th) (max) a Id 2V @ 1mA  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TUMT6  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 390mOhm @ 1A, 4.5V  
Potenza - Max 1W  
Contenitore / involucro 6-SMD, Flat Leads  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 150pF @ 10V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 2.1nC @ 4.5V  
Caratteristica FET Logic Level Gate  
Tensione drain-source (Vdss) 20V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 1A  
Configurazione 2 P-Channel (Dual)  
Numero di prodotto di base US6J2  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Rohm Semiconductor US6J2TR

Proprietà del prodotto US6J2TR US6J12TCR US6K2TR US6K4TR
Modello di prodotti US6J2TR US6J12TCR US6K2TR US6K4TR
fabbricante Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 150pF @ 10V 850pF @ 6V 70pF @ 10V 110pF @ 10V
Potenza - Max 1W 910mW (Ta) 1W 1W
Tensione drain-source (Vdss) 20V 12V 30V 20V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 1A 2A (Ta) 1.4A 1.5A
Rds On (max) a Id, Vgs 390mOhm @ 1A, 4.5V 105mOhm @ 2A, 4.5V 240mOhm @ 1.4A, 10V 180mOhm @ 1.5A, 4.5V
Caratteristica FET Logic Level Gate - Logic Level Gate Logic Level Gate
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 2.1nC @ 4.5V 7.6nC @ 4.5V 2nC @ 5V 2.5nC @ 4.5V
Contenitore dispositivo fornitore TUMT6 TUMT6 TUMT6 TUMT6
Numero di prodotto di base US6J2 US6J12 US6K2 US6K4
Configurazione 2 P-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual)
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro 6-SMD, Flat Leads 6-SMD, Flat Leads 6-SMD, Flat Leads 6-SMD, Flat Leads
Serie - - - -
Vgs (th) (max) a Id 2V @ 1mA 1V @ 1mA 2.5V @ 1mA 1V @ 1mA
temperatura di esercizio 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ)
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount

US6J2TR Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica US6J2TR PDF e la documentazione Rohm Semiconductor per US6J2TR - Rohm Semiconductor.

Schede tecniche
US6J2.pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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