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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-matriciUS6J12TCR
Rohm Semiconductor
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

US6J12TCR - Rohm Semiconductor

fabbricante Modello di prodotti
US6J12TCR
fabbricante
LAPIS Technology
Allelco Modello di prodotti
32D-US6J12TCR
Modello ECAD
Descrizione delle parti
1.5V DRIVE PCH+PCH MOSFET. US6J1
Descrizione dettagliata
Pacchetto
6-SMD, Flat Leads
Scheda dati
US6J12TCR.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 119490

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Specifiche

Specifiche tecnologiche US6J12TCR
Specifiche tecniche Rohm Semiconductor - US6J12TCR, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Rohm Semiconductor - US6J12TCR

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante LAPIS Technology  
Vgs (th) (max) a Id 1V @ 1mA  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TUMT6  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 105mOhm @ 2A, 4.5V  
Potenza - Max 910mW (Ta)  
Contenitore / involucro 6-SMD, Flat Leads  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 850pF @ 6V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 7.6nC @ 4.5V  
Caratteristica FET -  
Tensione drain-source (Vdss) 12V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 2A (Ta)  
Configurazione 2 P-Channel (Dual)  
Numero di prodotto di base US6J12  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Rohm Semiconductor US6J12TCR

Proprietà del prodotto US6J12TCR US6K4TR US6J2TR US6J11TR
Modello di prodotti US6J12TCR US6K4TR US6J2TR US6J11TR
fabbricante Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 850pF @ 6V 110pF @ 10V 150pF @ 10V 290pF @ 6V
temperatura di esercizio 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 2A (Ta) 1.5A 1A 1.3A
Rds On (max) a Id, Vgs 105mOhm @ 2A, 4.5V 180mOhm @ 1.5A, 4.5V 390mOhm @ 1A, 4.5V 260mOhm @ 1.3A, 4.5V
Potenza - Max 910mW (Ta) 1W 1W 320mW
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Caratteristica FET - Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (th) (max) a Id 1V @ 1mA 1V @ 1mA 2V @ 1mA 1V @ 1mA
Serie - - - -
Numero di prodotto di base US6J12 US6K4 US6J2 US6J11
Contenitore dispositivo fornitore TUMT6 TUMT6 TUMT6 TUMT6
Tensione drain-source (Vdss) 12V 20V 20V 12V
Contenitore / involucro 6-SMD, Flat Leads 6-SMD, Flat Leads 6-SMD, Flat Leads 6-SMD, Flat Leads
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 7.6nC @ 4.5V 2.5nC @ 4.5V 2.1nC @ 4.5V 2.4nC @ 4.5V
Configurazione 2 P-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual)

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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