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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-matriciUS6K4TR
Rohm Semiconductor
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

US6K4TR - Rohm Semiconductor

fabbricante Modello di prodotti
US6K4TR
fabbricante
LAPIS Technology
Allelco Modello di prodotti
32D-US6K4TR
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET 2N-CH 20V 1.5A TUMT6
Descrizione dettagliata
Pacchetto
6-SMD, Flat Leads
Scheda dati
US6K4TR.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 178710

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche US6K4TR
Specifiche tecniche Rohm Semiconductor - US6K4TR, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Rohm Semiconductor - US6K4TR

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante LAPIS Technology  
Vgs (th) (max) a Id 1V @ 1mA  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TUMT6  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 180mOhm @ 1.5A, 4.5V  
Potenza - Max 1W  
Contenitore / involucro 6-SMD, Flat Leads  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 110pF @ 10V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 2.5nC @ 4.5V  
Caratteristica FET Logic Level Gate  
Tensione drain-source (Vdss) 20V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 1.5A  
Configurazione 2 N-Channel (Dual)  
Numero di prodotto di base US6K4  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Rohm Semiconductor US6K4TR

Proprietà del prodotto US6K4TR US6K1TR US6M11TR US6K2TR
Modello di prodotti US6K4TR US6K1TR US6M11TR US6K2TR
fabbricante Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor
Vgs (th) (max) a Id 1V @ 1mA 1.5V @ 1mA 1V @ 1mA 2.5V @ 1mA
Tensione drain-source (Vdss) 20V 30V 20V, 12V 30V
Configurazione 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) N and P-Channel 2 N-Channel (Dual)
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 2.5nC @ 4.5V 2.2nC @ 4.5V 1.8nC @ 4.5V 2nC @ 5V
Rds On (max) a Id, Vgs 180mOhm @ 1.5A, 4.5V 240mOhm @ 1.5A, 4.5V 180mOhm @ 1.5A, 4.5V 240mOhm @ 1.4A, 10V
Contenitore dispositivo fornitore TUMT6 TUMT6 TUMT6 TUMT6
Serie - - - -
temperatura di esercizio 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ)
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Contenitore / involucro 6-SMD, Flat Leads 6-SMD, Flat Leads 6-SMD, Flat Leads 6-SMD, Flat Leads
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Caratteristica FET Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 110pF @ 10V 80pF @ 10V 110pF @ 10V 70pF @ 10V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 1.5A 1.5A 1.5A, 1.3A 1.4A
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Numero di prodotto di base US6K4 US6K1 US6M11 US6K2
Potenza - Max 1W 1W 1W 1W

US6K4TR Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica US6K4TR PDF e la documentazione Rohm Semiconductor per US6K4TR - Rohm Semiconductor.

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
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Europa Germania 5
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Italia 5
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Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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