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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-matriciSP8M7TB
SP8M7TB Image
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SP8M7TB - Rohm Semiconductor

fabbricante Modello di prodotti
SP8M7TB
fabbricante
LAPIS Technology
Allelco Modello di prodotti
32D-SP8M7TB
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N/P-CH 30V 5A/7A 8SOIC
Descrizione dettagliata
Pacchetto
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Scheda dati
SP8M7.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 5230

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche SP8M7TB
Specifiche tecniche Rohm Semiconductor - SP8M7TB, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Rohm Semiconductor - SP8M7TB

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante LAPIS Technology  
Vgs (th) (max) a Id 2.5V @ 1mA  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore 8-SOP  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 51mOhm @ 5A, 10V  
Potenza - Max 2W  
Contenitore / involucro 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 230pF @ 10V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 5.5nC @ 5V  
Caratteristica FET Logic Level Gate  
Tensione drain-source (Vdss) 30V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 5A, 7A  
Configurazione N and P-Channel  
Numero di prodotto di base SP8M7  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Rohm Semiconductor SP8M7TB

Proprietà del prodotto SP8M7TB SP8M70TB1 SP8M51FRATB SP8M6TB
Modello di prodotti SP8M7TB SP8M70TB1 SP8M51FRATB SP8M6TB
fabbricante Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 5A, 7A 3A, 2.5A 3A (Ta), 2.5A (Ta) 5A, 3.5A
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 5.5nC @ 5V 5.2nC @ 10V 8.5nC @ 5V, 12.5nC @ 5V 3.9nC @ 5V
Configurazione N and P-Channel N and P-Channel N and P-Channel N and P-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 230pF @ 10V 180pF @ 25V 610pF @ 10V, 1550pF @ 25V 230pF @ 10V
temperatura di esercizio 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ)
Vgs (th) (max) a Id 2.5V @ 1mA 4V @ 1mA 2.5V @ 1mA 2.5V @ 1mA
Tensione drain-source (Vdss) 30V 250V 100V 30V
Caratteristica FET Logic Level Gate - - Logic Level Gate
Contenitore dispositivo fornitore 8-SOP 8-SOP 8-SOP 8-SOP
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Rds On (max) a Id, Vgs 51mOhm @ 5A, 10V 1.63Ohm @ 1.5A, 10V 170mOhm @ 3A, 10V, 290mOhm @ 2.5A, 10V 51mOhm @ 5A, 10V
Numero di prodotto di base SP8M7 SP8M7 SP8M51 SP8M6
Contenitore / involucro 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Serie - - Automotive, AEC-Q101 -
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Potenza - Max 2W 650mW 2W 2W

SP8M7TB Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica SP8M7TB PDF e la documentazione Rohm Semiconductor per SP8M7TB - Rohm Semiconductor.

Schede tecniche
SP8M7.pdf

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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