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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-matriciSP8M8FD5TB1
SP8M8FD5TB1 Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

SP8M8FD5TB1 - Rohm Semiconductor

fabbricante Modello di prodotti
SP8M8FD5TB1
fabbricante
LAPIS Technology
Allelco Modello di prodotti
32D-SP8M8FD5TB1
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N/P-CH 30V 8SOP
Descrizione dettagliata
Pacchetto
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Scheda dati
SP8M8FD5TB1.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 4990

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche SP8M8FD5TB1
Specifiche tecniche Rohm Semiconductor - SP8M8FD5TB1, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Rohm Semiconductor - SP8M8FD5TB1

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante LAPIS Technology  
Vgs (th) (max) a Id 2.5V @ 1mA  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore 8-SOP  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 30mOhm @ 6A, 10V, 56mOhm @ 4.5A, 10V  
Potenza - Max 2W (Ta)  
Contenitore / involucro 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio 150°C  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 520pF @ 10V, 850pF @ 10V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 7.2nC @ 5V, 8.5nC @ 5V  
Caratteristica FET Logic Level Gate, 4V Drive  
Tensione drain-source (Vdss) 30V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 6A (Ta), 4.5A (Ta)  
Configurazione N and P-Channel  
Numero di prodotto di base SP8M8  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Rohm Semiconductor SP8M8FD5TB1

Proprietà del prodotto SP8M8FD5TB1 SP8M7TB SP8M6TB SP8M70TB1
Modello di prodotti SP8M8FD5TB1 SP8M7TB SP8M6TB SP8M70TB1
fabbricante Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
temperatura di esercizio 150°C 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ)
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 7.2nC @ 5V, 8.5nC @ 5V 5.5nC @ 5V 3.9nC @ 5V 5.2nC @ 10V
Caratteristica FET Logic Level Gate, 4V Drive Logic Level Gate Logic Level Gate -
Tensione drain-source (Vdss) 30V 30V 30V 250V
Potenza - Max 2W (Ta) 2W 2W 650mW
Contenitore / involucro 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Configurazione N and P-Channel N and P-Channel N and P-Channel N and P-Channel
Contenitore dispositivo fornitore 8-SOP 8-SOP 8-SOP 8-SOP
Vgs (th) (max) a Id 2.5V @ 1mA 2.5V @ 1mA 2.5V @ 1mA 4V @ 1mA
Rds On (max) a Id, Vgs 30mOhm @ 6A, 10V, 56mOhm @ 4.5A, 10V 51mOhm @ 5A, 10V 51mOhm @ 5A, 10V 1.63Ohm @ 1.5A, 10V
Numero di prodotto di base SP8M8 SP8M7 SP8M6 SP8M7
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 6A (Ta), 4.5A (Ta) 5A, 7A 5A, 3.5A 3A, 2.5A
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 520pF @ 10V, 850pF @ 10V 230pF @ 10V 230pF @ 10V 180pF @ 25V
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Serie - - - -

SP8M8FD5TB1 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica SP8M8FD5TB1 PDF e la documentazione Rohm Semiconductor per SP8M8FD5TB1 - Rohm Semiconductor.

PCN Obsolescence/ EOL
Mult Dev EOL 26/Jan/2020.pdf

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Europa Germania 5
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Asia India 4
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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SP8M8FD5TB1

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