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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-matriciSP8M51FRATB
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Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

SP8M51FRATB - Rohm Semiconductor

fabbricante Modello di prodotti
SP8M51FRATB
fabbricante
LAPIS Technology
Allelco Modello di prodotti
32D-SP8M51FRATB
Modello ECAD
Descrizione delle parti
4V DRIVE NCH+PCH MOSFET
Descrizione dettagliata
Pacchetto
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Scheda dati
SP8M51FRATB.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 48380

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche SP8M51FRATB
Specifiche tecniche Rohm Semiconductor - SP8M51FRATB, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Rohm Semiconductor - SP8M51FRATB

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante LAPIS Technology  
Vgs (th) (max) a Id 2.5V @ 1mA  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore 8-SOP  
Serie Automotive, AEC-Q101  
Rds On (max) a Id, Vgs 170mOhm @ 3A, 10V, 290mOhm @ 2.5A, 10V  
Potenza - Max 2W  
Contenitore / involucro 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 610pF @ 10V, 1550pF @ 25V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 8.5nC @ 5V, 12.5nC @ 5V  
Caratteristica FET -  
Tensione drain-source (Vdss) 100V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 3A (Ta), 2.5A (Ta)  
Configurazione N and P-Channel  
Numero di prodotto di base SP8M51  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Rohm Semiconductor SP8M51FRATB

Proprietà del prodotto SP8M51FRATB SP8M70TB1 SP8M51TB1 SP8M4TB
Modello di prodotti SP8M51FRATB SP8M70TB1 SP8M51TB1 SP8M4TB
fabbricante Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor
Configurazione N and P-Channel N and P-Channel N and P-Channel -
Vgs (th) (max) a Id 2.5V @ 1mA 4V @ 1mA - 2.5V @ 1mA
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 3A (Ta), 2.5A (Ta) 3A, 2.5A 3A, 2.5A 9A, 7A
Potenza - Max 2W 650mW 2W 2W (Ta)
Numero di prodotto di base SP8M51 SP8M7 SP8M51 SP8M4
Caratteristica FET - - - Standard
Tensione drain-source (Vdss) 100V 250V 100V 30V
temperatura di esercizio 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C
Rds On (max) a Id, Vgs 170mOhm @ 3A, 10V, 290mOhm @ 2.5A, 10V 1.63Ohm @ 1.5A, 10V - 18mOhm @ 9A, 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 610pF @ 10V, 1550pF @ 25V 180pF @ 25V - 1190pF @ 10V
Contenitore / involucro 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Contenitore dispositivo fornitore 8-SOP 8-SOP 8-SOP 8-SOP
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 8.5nC @ 5V, 12.5nC @ 5V 5.2nC @ 10V - 21nC @ 5V
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Serie Automotive, AEC-Q101 - - -

SP8M51FRATB Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica SP8M51FRATB PDF e la documentazione Rohm Semiconductor per SP8M51FRATB - Rohm Semiconductor.

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Giappone 4
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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