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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-matriciSP8M4FU6TB
SP8M4FU6TB Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

SP8M4FU6TB - Rohm Semiconductor

fabbricante Modello di prodotti
SP8M4FU6TB
fabbricante
LAPIS Technology
Allelco Modello di prodotti
32D-SP8M4FU6TB
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N/P-CH 30V 9A/7A 8SOIC
Descrizione dettagliata
Pacchetto
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Scheda dati
SP8M4.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 5370

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche SP8M4FU6TB
Specifiche tecniche Rohm Semiconductor - SP8M4FU6TB, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Rohm Semiconductor - SP8M4FU6TB

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante LAPIS Technology  
Vgs (th) (max) a Id 2.5V @ 1mA  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore 8-SOP  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 18mOhm @ 9A, 10V  
Potenza - Max 2W  
Contenitore / involucro 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1190pF @ 10V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 21nC @ 5V  
Caratteristica FET Logic Level Gate  
Tensione drain-source (Vdss) 30V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 9A, 7A  
Configurazione N and P-Channel  
Numero di prodotto di base SP8M4  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Rohm Semiconductor SP8M4FU6TB

Proprietà del prodotto SP8M4FU6TB SP8M51TB1 SP8M4TB SP8M3TB
Modello di prodotti SP8M4FU6TB SP8M51TB1 SP8M4TB SP8M3TB
fabbricante Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor
Potenza - Max 2W 2W 2W (Ta) 2W
Contenitore / involucro 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Serie - - - -
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Caratteristica FET Logic Level Gate - Standard Logic Level Gate
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 9A, 7A 3A, 2.5A 9A, 7A 5A, 4.5A
temperatura di esercizio 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C 150°C (TJ)
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 21nC @ 5V - 21nC @ 5V 3.9nC @ 5V
Rds On (max) a Id, Vgs 18mOhm @ 9A, 10V - 18mOhm @ 9A, 10V 51mOhm @ 5A, 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1190pF @ 10V - 1190pF @ 10V 230pF @ 10V
Configurazione N and P-Channel N and P-Channel - N and P-Channel
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Numero di prodotto di base SP8M4 SP8M51 SP8M4 SP8M3
Vgs (th) (max) a Id 2.5V @ 1mA - 2.5V @ 1mA 2.5V @ 1mA
Contenitore dispositivo fornitore 8-SOP 8-SOP 8-SOP 8-SOP
Tensione drain-source (Vdss) 30V 100V 30V 30V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)

SP8M4FU6TB Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica SP8M4FU6TB PDF e la documentazione Rohm Semiconductor per SP8M4FU6TB - Rohm Semiconductor.

PCN Obsolescence/ EOL
Mult Dev EOL 29/Oct/2018.pdf
Schede tecniche
SP8M4.pdf

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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