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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloRSR010N10TL
Rohm Semiconductor
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

RSR010N10TL - Rohm Semiconductor

fabbricante Modello di prodotti
RSR010N10TL
fabbricante
LAPIS Technology
Allelco Modello di prodotti
32D-RSR010N10TL
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 100V 1A TSMT3
Descrizione dettagliata
Pacchetto
SC-96
Scheda dati
RSR010N10TL.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 158490

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche RSR010N10TL
Specifiche tecniche Rohm Semiconductor - RSR010N10TL, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Rohm Semiconductor - RSR010N10TL

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante LAPIS Technology  
Vgs (th) (max) a Id 2.5V @ 1mA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TSMT3  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 520mOhm @ 1A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 540mW (Ta)  
Contenitore / involucro SC-96  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 140 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 3.5 nC @ 5 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 100 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 1A (Ta)  
Numero di prodotto di base RSR010  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Rohm Semiconductor RSR010N10TL

Proprietà del prodotto RSR010N10TL NTTD4401FR2G NDF06N60ZH AOTF8N60
Modello di prodotti RSR010N10TL NTTD4401FR2G NDF06N60ZH AOTF8N60
fabbricante Rohm Semiconductor onsemi Sanyo Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Rds On (max) a Id, Vgs 520mOhm @ 1A, 10V 90mOhm @ 3.3A, 4.5V 1.2Ohm @ 3A, 10V 900mOhm @ 4A, 10V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 3.5 nC @ 5 V 18 nC @ 4.5 V 31 nC @ 10 V 35 nC @ 10 V
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube Tube
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 140 pF @ 25 V 750 pF @ 16 V 923 pF @ 25 V 1370 pF @ 25 V
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V 2.5V, 4.5V - 10V
Numero di prodotto di base RSR010 NTTD44 - AOTF8
Tensione drain-source (Vdss) 100 V 20 V 600 V 600 V
Vgs (Max) ±20V ±10V ±30V ±30V
Vgs (th) (max) a Id 2.5V @ 1mA 1.5V @ 250µA 4.5V @ 100µA 4.5V @ 250µA
Tipo FET N-Channel P-Channel N-Channel N-Channel
Contenitore / involucro SC-96 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack
Contenitore dispositivo fornitore TSMT3 8-MSOP TO-220-3 Full Pack TO-220F
Serie - FETKY™ - -
Dissipazione di potenza (max) 540mW (Ta) 780mW (Ta) 31W (Tc) 50W (Tc)
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Through Hole Through Hole
Caratteristica FET - Schottky Diode (Isolated) - -
temperatura di esercizio 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 1A (Ta) 2.4A (Ta) 6A (Tj) 8A (Tc)

RSR010N10TL Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica RSR010N10TL PDF e la documentazione Rohm Semiconductor per RSR010N10TL - Rohm Semiconductor.

PCN Design/Specifica
TSMT Package Updates 24/Dec/2014.pdf

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America stati Uniti 5
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Europa Germania 5
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Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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