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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloAOTF8N60
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.
OPZIONE ESPRIT
Metodo di pagamento

AOTF8N60 - Alpha & Omega Semiconductor Inc.

fabbricante Modello di prodotti
AOTF8N60
fabbricante
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Allelco Modello di prodotti
32D-AOTF8N60
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 600V 8A TO220-3F
Pacchetto
TO-220-3 Full Pack
Scheda dati
TO220F Pkg Drawing.pdf
La nostra certificazione
In magazzino: 4380

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Specifiche

Specifiche tecnologiche AOTF8N60
Specifiche tecniche Alpha & Omega Semiconductor Inc. - AOTF8N60, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Alpha & Omega Semiconductor Inc. - AOTF8N60

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Alpha and Omega Semiconductor, Inc.  
Vgs (th) (max) a Id 4.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-220F  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 900mOhm @ 4A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 50W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-220-3 Full Pack  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1370 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 35 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 600 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 8A (Tc)  
Numero di prodotto di base AOTF8  

Classificazioni ambientali e di esportazione

ATTRIBUTO DESCRIZIONE
Stato RoHS
Livello di sensibilità all'umidità (MSL) 1 (Unlimited)
Raggiungere lo stato REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOTF8N60

Proprietà del prodotto AOTF8N60 AOTF7T60PL AOTF8N65 AOTF7T60
Modello di prodotti AOTF8N60 AOTF7T60PL AOTF8N65 AOTF7T60
fabbricante Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Serie - - - -
Caratteristica FET - - - -
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Dissipazione di potenza (max) 50W (Tc) 29W (Tc) 50W (Tc) 38W (Tc)
Pacchetto Tube Tube Tube Tube
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 8A (Tc) 7A (Tc) 8A (Tc) 7A (Tc)
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1370 pF @ 25 V 965 pF @ 100 V 1400 pF @ 25 V 962 pF @ 100 V
Vgs (th) (max) a Id 4.5V @ 250µA 5V @ 250µA 4.5V @ 250µA 5V @ 250µA
Contenitore / involucro TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack
Rds On (max) a Id, Vgs 900mOhm @ 4A, 10V 1.1Ohm @ 3.5A, 10V 1.15Ohm @ 4A, 10V 1.1Ohm @ 3.5A, 10V
Contenitore dispositivo fornitore TO-220F TO-220F TO-220F TO-220F
Vgs (Max) ±30V ±30V ±30V ±30V
Numero di prodotto di base AOTF8 AOTF7 AOTF8 AOTF7
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 35 nC @ 10 V 25 nC @ 10 V 28 nC @ 10 V 24 nC @ 10 V
Tensione drain-source (Vdss) 600 V 600 V 650 V 600 V
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel

AOTF8N60 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica AOTF8N60 PDF e la documentazione Alpha & Omega Semiconductor Inc. per AOTF8N60 - Alpha & Omega Semiconductor Inc..

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America stati Uniti 5
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Europa Germania 5
Regno Unito 4
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Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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