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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloRSR025P03HZGTL
Rohm Semiconductor
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

RSR025P03HZGTL - Rohm Semiconductor

fabbricante Modello di prodotti
RSR025P03HZGTL
fabbricante
LAPIS Technology
Allelco Modello di prodotti
32D-RSR025P03HZGTL
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET P-CH 30V 2.5A TSMT3
Descrizione dettagliata
Pacchetto
SC-96
Scheda dati
RSR025P03HZGTL.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 135880

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Specifiche

Specifiche tecnologiche RSR025P03HZGTL
Specifiche tecniche Rohm Semiconductor - RSR025P03HZGTL, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Rohm Semiconductor - RSR025P03HZGTL

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante LAPIS Technology  
Vgs (th) (max) a Id 2.5V @ 1mA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TSMT3  
Serie Automotive, AEC-Q101  
Rds On (max) a Id, Vgs 98mOhm @ 2.5A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 700mW (Ta)  
Contenitore / involucro SC-96  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 460 pF @ 10 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 5.4 nC @ 5 V  
Tipo FET P-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 30 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 2.5A (Ta)  
Numero di prodotto di base RSR025  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Rohm Semiconductor RSR025P03HZGTL

Proprietà del prodotto RSR025P03HZGTL FQA13N80-F109 IRF6619 FQPF34N20L
Modello di prodotti RSR025P03HZGTL FQA13N80-F109 IRF6619 FQPF34N20L
fabbricante Rohm Semiconductor onsemi Infineon Technologies Fairchild Semiconductor
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V 10V 4.5V, 10V 5V, 10V
Rds On (max) a Id, Vgs 98mOhm @ 2.5A, 10V 750mOhm @ 6.3A, 10V 2.2mOhm @ 30A, 10V 75mOhm @ 8.75A, 10V
Tipo FET P-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Serie Automotive, AEC-Q101 QFET® HEXFET® QFET®
temperatura di esercizio 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 2.5A (Ta) 12.6A (Tc) 30A (Ta), 150A (Tc) 17.5A (Tc)
Tipo montaggio Surface Mount Through Hole Surface Mount Through Hole
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR) Tube
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 460 pF @ 10 V 3500 pF @ 25 V 5040 pF @ 10 V 3900 pF @ 25 V
Contenitore / involucro SC-96 TO-3P-3, SC-65-3 DirectFET™ Isometric MX TO-220-3 Full Pack
Caratteristica FET - - - -
Contenitore dispositivo fornitore TSMT3 TO-3PN DIRECTFET™ MX TO-220F-3
Vgs (th) (max) a Id 2.5V @ 1mA 5V @ 250µA 2.45V @ 250µA 2V @ 250µA
Numero di prodotto di base RSR025 FQA13 - -
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 5.4 nC @ 5 V 88 nC @ 10 V 57 nC @ 4.5 V 72 nC @ 5 V
Tensione drain-source (Vdss) 30 V 800 V 20 V 200 V
Dissipazione di potenza (max) 700mW (Ta) 300W (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc) 55W (Tc)
Vgs (Max) ±20V ±30V ±20V ±20V

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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