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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloIXFH52N30P
IXYS
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

IXFH52N30P - IXYS

fabbricante Modello di prodotti
IXFH52N30P
fabbricante
IXYS Corporation
Allelco Modello di prodotti
32D-IXFH52N30P
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 300V 52A TO247AD
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-247-3
Scheda dati
IXF(H,V)52N30P(S).pdf
Stato RoHS
In magazzino: 9404

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche IXFH52N30P
Specifiche tecniche IXYS - IXFH52N30P, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad IXYS - IXFH52N30P

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante IXYS Corporation  
Vgs (th) (max) a Id 5V @ 4mA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-247AD (IXFH)  
Serie HiPerFET™, Polar  
Rds On (max) a Id, Vgs 66mOhm @ 500mA, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 400W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-247-3  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 3490 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 110 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 300 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 52A (Tc)  
Numero di prodotto di base IXFH52  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di IXYS IXFH52N30P

Proprietà del prodotto IXFH52N30P IXFH60N20 IXFH50N85X IXFH50N20
Modello di prodotti IXFH52N30P IXFH60N20 IXFH50N85X IXFH50N20
fabbricante IXYS IXYS IXYS IXYS
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Numero di prodotto di base IXFH52 IXFH60 IXFH50 IXFH50
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Caratteristica FET - - - -
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 110 nC @ 10 V 155 nC @ 10 V 152 nC @ 10 V 220 nC @ 10 V
Rds On (max) a Id, Vgs 66mOhm @ 500mA, 10V 33mOhm @ 30A, 10V 105mOhm @ 500mA, 10V 45mOhm @ 25A, 10V
Tensione drain-source (Vdss) 300 V 200 V 850 V 200 V
Contenitore / involucro TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
Serie HiPerFET™, Polar HiPerFET™ HiPerFET™, Ultra X HiPerFET™
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 52A (Tc) 60A (Tc) 50A (Tc) 50A (Tc)
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Contenitore dispositivo fornitore TO-247AD (IXFH) TO-247AD (IXFH) TO-247 (IXTH) TO-247AD (IXFH)
Vgs (th) (max) a Id 5V @ 4mA 4V @ 4mA 5.5V @ 4mA 4V @ 4mA
Vgs (Max) ±20V ±20V ±30V ±20V
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Pacchetto Tube Tube Tube Tube
Dissipazione di potenza (max) 400W (Tc) 300W (Tc) 890W (Tc) 300W (Tc)
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 3490 pF @ 25 V 5200 pF @ 25 V 4480 pF @ 25 V 4400 pF @ 25 V

IXFH52N30P Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IXFH52N30P PDF e la documentazione IXYS per IXFH52N30P - IXYS.

Schede tecniche
IXF(H,V)52N30P(S).pdf

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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