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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-matriciQS8M51TR
QS8M51TR Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

QS8M51TR - Rohm Semiconductor

fabbricante Modello di prodotti
QS8M51TR
fabbricante
LAPIS Technology
Allelco Modello di prodotti
32D-QS8M51TR
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N/P-CH 100V 2A/1.5A TSMT8
Descrizione dettagliata
Pacchetto
8-SMD, Flat Lead
Scheda dati
QS8M51TR.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 76370

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche QS8M51TR
Specifiche tecniche Rohm Semiconductor - QS8M51TR, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Rohm Semiconductor - QS8M51TR

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante LAPIS Technology  
Vgs (th) (max) a Id 2.5V @ 1mA  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TSMT8  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 325mOhm @ 2A, 10V  
Potenza - Max 1.5W  
Contenitore / involucro 8-SMD, Flat Lead  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 290pF @ 25V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 4.7nC @ 5V  
Caratteristica FET Logic Level Gate  
Tensione drain-source (Vdss) 100V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 2A, 1.5A  
Configurazione N and P-Channel  
Numero di prodotto di base QS8M51  

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Proprietà del prodotto QS8M51TR QS8J4TR QS8K11TCR QS8J12TCR
Modello di prodotti QS8M51TR QS8J4TR QS8K11TCR QS8J12TCR
fabbricante Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor
Contenitore / involucro 8-SMD, Flat Lead 8-SMD, Flat Lead 8-SMD, Flat Lead 8-SMD, Flat Lead
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) - MOSFET (Metal Oxide)
Caratteristica FET Logic Level Gate Logic Level Gate - Logic Level Gate, 1.5V Drive
Numero di prodotto di base QS8M51 QS8J4 QS8K11 QS8J12
Contenitore dispositivo fornitore TSMT8 TSMT8 TSMT8 TSMT8
temperatura di esercizio 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ)
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 4.7nC @ 5V 13nC @ 10V 3.3nC @ 5V 40nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 290pF @ 25V 800pF @ 10V 180pF @ 10V 4200pF @ 6V
Tensione drain-source (Vdss) 100V 30V 30V 12V
Configurazione N and P-Channel 2 P-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual)
Vgs (th) (max) a Id 2.5V @ 1mA 2.5V @ 1mA 2.5V @ 1mA 1V @ 1mA
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 2A, 1.5A 4A 3.5A 4.5A
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Rds On (max) a Id, Vgs 325mOhm @ 2A, 10V 56mOhm @ 4A, 10V 50mOhm @ 3.5A, 10V 29mOhm @ 4.5A, 4.5V
Serie - - - -
Potenza - Max 1.5W 550mW 1.5W 550mW

QS8M51TR Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica QS8M51TR PDF e la documentazione Rohm Semiconductor per QS8M51TR - Rohm Semiconductor.

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Europa Germania 5
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