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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-matriciQS8K11TCR
QS8K11TCR Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

QS8K11TCR - Rohm Semiconductor

fabbricante Modello di prodotti
QS8K11TCR
fabbricante
LAPIS Technology
Allelco Modello di prodotti
32D-QS8K11TCR
Modello ECAD
Descrizione delle parti
4V DRIVE NCH+NCH MOSFET
Descrizione dettagliata
Pacchetto
8-SMD, Flat Lead
Scheda dati
QS8K11TCR.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 119310

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche QS8K11TCR
Specifiche tecniche Rohm Semiconductor - QS8K11TCR, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Rohm Semiconductor - QS8K11TCR

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante LAPIS Technology  
Vgs (th) (max) a Id 2.5V @ 1mA  
Tecnologia -  
Contenitore dispositivo fornitore TSMT8  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 50mOhm @ 3.5A, 10V  
Potenza - Max 1.5W  
Contenitore / involucro 8-SMD, Flat Lead  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 180pF @ 10V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 3.3nC @ 5V  
Caratteristica FET -  
Tensione drain-source (Vdss) 30V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 3.5A  
Configurazione 2 N-Channel (Dual)  
Numero di prodotto di base QS8K11  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Rohm Semiconductor QS8K11TCR

Proprietà del prodotto QS8K11TCR QS8J2TR QS8K2TR QS8J4TR
Modello di prodotti QS8K11TCR QS8J2TR QS8K2TR QS8J4TR
fabbricante Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor
Potenza - Max 1.5W 550mW 1.25W 550mW
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Rds On (max) a Id, Vgs 50mOhm @ 3.5A, 10V 36mOhm @ 4A, 4.5V 54mOhm @ 3.5A, 4.5V 56mOhm @ 4A, 10V
Contenitore dispositivo fornitore TSMT8 TSMT8 TSMT8 TSMT8
Contenitore / involucro 8-SMD, Flat Lead 8-SMD, Flat Lead 8-SMD, Flat Lead 8-SMD, Flat Lead
Configurazione 2 N-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual)
Numero di prodotto di base QS8K11 QS8J2 QS8K2 QS8J4
Tensione drain-source (Vdss) 30V 12V 30V 30V
Vgs (th) (max) a Id 2.5V @ 1mA 1V @ 1mA 1.5V @ 1mA 2.5V @ 1mA
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 3.3nC @ 5V 20nC @ 4.5V 4.6nC @ 4.5V 13nC @ 10V
Caratteristica FET - Logic Level Gate, 1.5V Drive Logic Level Gate Logic Level Gate
Tecnologia - MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Serie - - - -
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 180pF @ 10V 1940pF @ 6V 285pF @ 10V 800pF @ 10V
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 3.5A 4A 3.5A 4A
temperatura di esercizio 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ)

QS8K11TCR Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica QS8K11TCR PDF e la documentazione Rohm Semiconductor per QS8K11TCR - Rohm Semiconductor.

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Europa Germania 5
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Nuova Zelanda 5
Asia India 4
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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