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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-matriciQS8K13TCR
QS8K13TCR Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

QS8K13TCR - Rohm Semiconductor

fabbricante Modello di prodotti
QS8K13TCR
fabbricante
LAPIS Technology
Allelco Modello di prodotti
32D-QS8K13TCR
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET 2N-CH 30V 6A TSMT8
Descrizione dettagliata
Pacchetto
8-SMD, Flat Lead
Scheda dati
QS8K13TCR.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 69530

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche QS8K13TCR
Specifiche tecniche Rohm Semiconductor - QS8K13TCR, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Rohm Semiconductor - QS8K13TCR

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante LAPIS Technology  
Vgs (th) (max) a Id 2.5V @ 1mA  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TSMT8  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 28mOhm @ 6A, 10V  
Potenza - Max 550mW  
Contenitore / involucro 8-SMD, Flat Lead  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 390pF @ 10V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 20nC @ 10V  
Caratteristica FET -  
Tensione drain-source (Vdss) 30V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 6A  
Configurazione 2 N-Channel (Dual)  
Numero di prodotto di base QS8K13  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Rohm Semiconductor QS8K13TCR

Proprietà del prodotto QS8K13TCR QS8K2TR QS8M13TCR QS8J2TR
Modello di prodotti QS8K13TCR QS8K2TR QS8M13TCR QS8J2TR
fabbricante Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor
Configurazione 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) N and P-Channel 2 P-Channel (Dual)
Serie - - - -
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 390pF @ 10V 285pF @ 10V 390pF @ 10V 1940pF @ 6V
Contenitore dispositivo fornitore TSMT8 TSMT8 TSMT8 TSMT8
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 20nC @ 10V 4.6nC @ 4.5V 5.5nC @ 5V 20nC @ 4.5V
Rds On (max) a Id, Vgs 28mOhm @ 6A, 10V 54mOhm @ 3.5A, 4.5V 28mOhm @ 6A, 10V 36mOhm @ 4A, 4.5V
Caratteristica FET - Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate, 1.5V Drive
Numero di prodotto di base QS8K13 QS8K2 QS8M13 QS8J2
Potenza - Max 550mW 1.25W 1.5W 550mW
Tensione drain-source (Vdss) 30V 30V 30V 12V
Vgs (th) (max) a Id 2.5V @ 1mA 1.5V @ 1mA 2.5V @ 1mA 1V @ 1mA
Contenitore / involucro 8-SMD, Flat Lead 8-SMD, Flat Lead 8-SMD, Flat Lead 8-SMD, Flat Lead
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
temperatura di esercizio 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 6A 3.5A 6A, 5A 4A

QS8K13TCR Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica QS8K13TCR PDF e la documentazione Rohm Semiconductor per QS8K13TCR - Rohm Semiconductor.

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
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Europa Germania 5
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Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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