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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloQS5U33TR
Rohm Semiconductor
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

QS5U33TR - Rohm Semiconductor

fabbricante Modello di prodotti
QS5U33TR
fabbricante
LAPIS Technology
Allelco Modello di prodotti
32D-QS5U33TR
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET P-CH 30V 2A TSMT5
Descrizione dettagliata
Pacchetto
SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5
Scheda dati
QS5U33TR.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 137100

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche QS5U33TR
Specifiche tecniche Rohm Semiconductor - QS5U33TR, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Rohm Semiconductor - QS5U33TR

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante LAPIS Technology  
Vgs (th) (max) a Id 2.5V @ 1mA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TSMT5  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 135mOhm @ 2A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 1.25W (Ta)  
Contenitore / involucro SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 310 pF @ 10 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 3.4 nC @ 5 V  
Tipo FET P-Channel  
Caratteristica FET Schottky Diode (Isolated)  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 30 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 2A (Ta)  
Numero di prodotto di base QS5U33  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Rohm Semiconductor QS5U33TR

Proprietà del prodotto QS5U33TR QS5U36TR QS5U34TR QS5U28TR
Modello di prodotti QS5U33TR QS5U36TR QS5U34TR QS5U28TR
fabbricante Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor
Numero di prodotto di base QS5U33 QS5U36 QS5U34 QS5U28
Serie - - - -
Caratteristica FET Schottky Diode (Isolated) Schottky Diode (Isolated) Schottky Diode (Isolated) Schottky Diode (Isolated)
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V 1.5V, 4.5V 1.8V, 4.5V 2.5V, 4.5V
temperatura di esercizio 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C 150°C (TJ)
Contenitore / involucro SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5 SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5 SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5 SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5
Tensione drain-source (Vdss) 30 V 20 V 20 V 20 V
Rds On (max) a Id, Vgs 135mOhm @ 2A, 10V 81mOhm @ 2.5A, 4.5V 180mOhm @ 1.5A, 4.5V 125mOhm @ 2A, 4.5V
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Contenitore dispositivo fornitore TSMT5 TSMT5 TSMT5 TSMT5
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tipo FET P-Channel N-Channel N-Channel P-Channel
Dissipazione di potenza (max) 1.25W (Ta) 1.25W (Ta) 1.25W (Ta) 1.25W (Ta)
Vgs (th) (max) a Id 2.5V @ 1mA 1.3V @ 1mA 1.3V @ 1mA 2V @ 1mA
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 3.4 nC @ 5 V 3.5 nC @ 4.5 V 2.5 nC @ 4.5 V 4.8 nC @ 4.5 V
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 2A (Ta) 2.5A (Ta) 1.5A (Ta) 2A (Ta)
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 310 pF @ 10 V 280 pF @ 10 V 110 pF @ 10 V 450 pF @ 10 V
Vgs (Max) ±20V ±10V 10V ±12V

QS5U33TR Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica QS5U33TR PDF e la documentazione Rohm Semiconductor per QS5U33TR - Rohm Semiconductor.

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