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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloQS5U27TR
Rohm Semiconductor
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

QS5U27TR - Rohm Semiconductor

fabbricante Modello di prodotti
QS5U27TR
fabbricante
LAPIS Technology
Allelco Modello di prodotti
32D-QS5U27TR
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET P-CH 20V 1.5A TSMT5
Descrizione dettagliata
Pacchetto
SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5
Scheda dati
QS5U27TR.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 133240

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche QS5U27TR
Specifiche tecniche Rohm Semiconductor - QS5U27TR, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Rohm Semiconductor - QS5U27TR

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante LAPIS Technology  
Vgs (th) (max) a Id 2V @ 1mA  
Vgs (Max) ±12V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TSMT5  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 200mOhm @ 1.5A, 4.5V  
Dissipazione di potenza (max) 1.25W (Ta)  
Contenitore / involucro SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 325 pF @ 10 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 4.2 nC @ 4.5 V  
Tipo FET P-Channel  
Caratteristica FET Schottky Diode (Isolated)  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V  
Tensione drain-source (Vdss) 20 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 1.5A (Ta)  
Numero di prodotto di base QS5U27  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Rohm Semiconductor QS5U27TR

Proprietà del prodotto QS5U27TR QS5U17TR QS5U36TR QS5U34TR
Modello di prodotti QS5U27TR QS5U17TR QS5U36TR QS5U34TR
fabbricante Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor
Tensione drain-source (Vdss) 20 V 30 V 20 V 20 V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 4.2 nC @ 4.5 V 3.9 nC @ 4.5 V 3.5 nC @ 4.5 V 2.5 nC @ 4.5 V
Vgs (th) (max) a Id 2V @ 1mA 1.5V @ 1mA 1.3V @ 1mA 1.3V @ 1mA
Caratteristica FET Schottky Diode (Isolated) Schottky Diode (Isolated) Schottky Diode (Isolated) Schottky Diode (Isolated)
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Rds On (max) a Id, Vgs 200mOhm @ 1.5A, 4.5V 100mOhm @ 2A, 4.5V 81mOhm @ 2.5A, 4.5V 180mOhm @ 1.5A, 4.5V
temperatura di esercizio 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C
Dissipazione di potenza (max) 1.25W (Ta) 900mW (Ta) 1.25W (Ta) 1.25W (Ta)
Numero di prodotto di base QS5U27 QS5U17 QS5U36 QS5U34
Contenitore / involucro SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5 SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5 SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5 SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5
Tipo FET P-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Contenitore dispositivo fornitore TSMT5 TSMT5 TSMT5 TSMT5
Serie - - - -
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 1.5A (Ta) 2A (Ta) 2.5A (Ta) 1.5A (Ta)
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Vgs (Max) ±12V ±12V ±10V 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 325 pF @ 10 V 175 pF @ 10 V 280 pF @ 10 V 110 pF @ 10 V
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V 2.5V, 4.5V 1.5V, 4.5V 1.8V, 4.5V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)

QS5U27TR Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica QS5U27TR PDF e la documentazione Rohm Semiconductor per QS5U27TR - Rohm Semiconductor.

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