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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloQS5U28TR
Rohm Semiconductor
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

QS5U28TR - Rohm Semiconductor

fabbricante Modello di prodotti
QS5U28TR
fabbricante
LAPIS Technology
Allelco Modello di prodotti
32D-QS5U28TR
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET P-CH 20V 2A TSMT5
Descrizione dettagliata
Pacchetto
SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5
Scheda dati
QS5U28TR.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 135960

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche QS5U28TR
Specifiche tecniche Rohm Semiconductor - QS5U28TR, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Rohm Semiconductor - QS5U28TR

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante LAPIS Technology  
Vgs (th) (max) a Id 2V @ 1mA  
Vgs (Max) ±12V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TSMT5  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 125mOhm @ 2A, 4.5V  
Dissipazione di potenza (max) 1.25W (Ta)  
Contenitore / involucro SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 450 pF @ 10 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 4.8 nC @ 4.5 V  
Tipo FET P-Channel  
Caratteristica FET Schottky Diode (Isolated)  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V  
Tensione drain-source (Vdss) 20 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 2A (Ta)  
Numero di prodotto di base QS5U28  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Rohm Semiconductor QS5U28TR

Proprietà del prodotto QS5U28TR QS5U34TR QS5U21TR QS5U27TR
Modello di prodotti QS5U28TR QS5U34TR QS5U21TR QS5U27TR
fabbricante Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor
Caratteristica FET Schottky Diode (Isolated) Schottky Diode (Isolated) Schottky Diode (Isolated) Schottky Diode (Isolated)
Contenitore dispositivo fornitore TSMT5 TSMT5 TSMT5 TSMT5
Contenitore / involucro SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5 SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5 SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5 SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 450 pF @ 10 V 110 pF @ 10 V 325 pF @ 10 V 325 pF @ 10 V
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V 1.8V, 4.5V 2.5V, 4.5V 2.5V, 4.5V
Rds On (max) a Id, Vgs 125mOhm @ 2A, 4.5V 180mOhm @ 1.5A, 4.5V 200mOhm @ 1.5A, 4.5V 200mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs (Max) ±12V 10V ±12V ±12V
Tensione drain-source (Vdss) 20 V 20 V 20 V 20 V
Serie - - - -
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Tipo FET P-Channel N-Channel P-Channel P-Channel
temperatura di esercizio 150°C (TJ) 150°C 150°C (TJ) 150°C (TJ)
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 4.8 nC @ 4.5 V 2.5 nC @ 4.5 V 4.2 nC @ 4.5 V 4.2 nC @ 4.5 V
Vgs (th) (max) a Id 2V @ 1mA 1.3V @ 1mA 2V @ 1mA 2V @ 1mA
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 2A (Ta) 1.5A (Ta) 1.5A (Ta) 1.5A (Ta)
Numero di prodotto di base QS5U28 QS5U34 QS5U21 QS5U27
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Dissipazione di potenza (max) 1.25W (Ta) 1.25W (Ta) 1.25W (Ta) 1.25W (Ta)

QS5U28TR Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica QS5U28TR PDF e la documentazione Rohm Semiconductor per QS5U28TR - Rohm Semiconductor.

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