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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor - Bipolare (BJT) - Array, pre -polarizzatoIMD10AT108
IMD10AT108 Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

IMD10AT108 - Rohm Semiconductor

fabbricante Modello di prodotti
IMD10AT108
fabbricante
LAPIS Technology
Allelco Modello di prodotti
32D-IMD10AT108
Modello ECAD
Descrizione delle parti
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SMT6
Descrizione dettagliata
Pacchetto
SC-74, SOT-457
Scheda dati
SMT6 T108 Taping Spec.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 293710

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche IMD10AT108
Specifiche tecniche Rohm Semiconductor - IMD10AT108, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Rohm Semiconductor - IMD10AT108

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante LAPIS Technology  
Tensione - rottura collettore-emettitore (max) 50V  
Vce saturazione (max) a Ib, Ic 300mV @ 1mA, 10mA / 300mV @ 5mA, 100mA  
Tipo transistor 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)  
Contenitore dispositivo fornitore SMT6  
Serie -  
Resistor - Emitter Base (R2) 10kOhms  
Resistor - Base (R1) 10kOhms, 100Ohms  
Potenza - Max 300mW  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
Contenitore / involucro SC-74, SOT-457  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Frequenza - transizione 250MHz, 200MHz  
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce 100 @ 1mA, 5V / 68 @ 100mA, 5V  
Corrente - Cutoff collettore (max) 500nA  
Corrente - collettore (Ic) (max) 100mA, 500mA  
Numero di prodotto di base IMD10  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Rohm Semiconductor IMD10AT108

Proprietà del prodotto IMD10AT108 IMD1AT108 IMD3AT108 IMD16AT108
Modello di prodotti IMD10AT108 IMD1AT108 IMD3AT108 IMD16AT108
fabbricante Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor
Vce saturazione (max) a Ib, Ic 300mV @ 1mA, 10mA / 300mV @ 5mA, 100mA 300mV @ 500µA, 5mA 300mV @ 500µA, 10mA 300mV @ 2.5mA, 50mA / 300mV @ 100µA, 1mA
Tensione - rottura collettore-emettitore (max) 50V 50V 50V 50V
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Corrente - collettore (Ic) (max) 100mA, 500mA 100mA 100mA 100mA, 500mA
Resistor - Emitter Base (R2) 10kOhms - 10kOhms 22kOhms
Potenza - Max 300mW 300mW 300mW 300mW
Frequenza - transizione 250MHz, 200MHz 250MHz 250MHz 250MHz
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Contenitore / involucro SC-74, SOT-457 SC-74, SOT-457 SC-74, SOT-457 SC-74, SOT-457
Contenitore dispositivo fornitore SMT6 SMT6 SMT6 SMT6
Tipo transistor 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Serie - - - -
Corrente - Cutoff collettore (max) 500nA - 500nA -
Resistor - Base (R1) 10kOhms, 100Ohms 22kOhms 10kOhms 100kOhms, 2.2kOhms
Numero di prodotto di base IMD10 IMD1 IMD3 IMD16
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce 100 @ 1mA, 5V / 68 @ 100mA, 5V 100 @ 1mA, 5V 30 @ 5mA, 5V 100 @ 1mA, 5V / 82 @ 50mA, 5V

IMD10AT108 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IMD10AT108 PDF e la documentazione Rohm Semiconductor per IMD10AT108 - Rohm Semiconductor.

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Schede tecniche
SMT6 T108 Taping Spec.pdf

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Europa Germania 5
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Italia 5
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Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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