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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor - Bipolare (BJT) - Array, pre -polarizzatoIMD10AMT1G
IMD10AMT1G Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

IMD10AMT1G - onsemi

fabbricante Modello di prodotti
IMD10AMT1G
fabbricante
onsemi
Allelco Modello di prodotti
32D-IMD10AMT1G
Modello ECAD
Descrizione delle parti
TRANS NPN/PNP PREBIAS SC74R
Descrizione dettagliata
Pacchetto
SC-74, SOT-457
Scheda dati
IMD10AMT1G.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 324410

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche IMD10AMT1G
Specifiche tecniche onsemi - IMD10AMT1G, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad onsemi - IMD10AMT1G

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante onsemi  
Tensione - rottura collettore-emettitore (max) 50V  
Vce saturazione (max) a Ib, Ic 300mV @ 1mA, 10mA  
Tipo transistor 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)  
Contenitore dispositivo fornitore SC-74R  
Serie -  
Resistor - Emitter Base (R2) 10kOhms  
Resistor - Base (R1) 13kOhms, 130Ohms  
Potenza - Max 285mW  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
Contenitore / involucro SC-74, SOT-457  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Frequenza - transizione -  
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce 100 @ 1mA, 5V / 68 @ 100mA, 5V  
Corrente - Cutoff collettore (max) 500nA  
Corrente - collettore (Ic) (max) 500mA  
Numero di prodotto di base IMD10  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di onsemi IMD10AMT1G

Proprietà del prodotto IMD10AMT1G IMD2AT108 IMD14T108 IMD1AT108
Modello di prodotti IMD10AMT1G IMD2AT108 IMD14T108 IMD1AT108
fabbricante onsemi Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor
Contenitore / involucro SC-74, SOT-457 SC-74, SOT-457 SC-74, SOT-457 SC-74, SOT-457
Contenitore dispositivo fornitore SC-74R SMT6 SMT6 SMT6
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Corrente - Cutoff collettore (max) 500nA 500nA 500nA -
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Vce saturazione (max) a Ib, Ic 300mV @ 1mA, 10mA 300mV @ 500µA, 10mA 300mV @ 5mA, 100mA 300mV @ 500µA, 5mA
Potenza - Max 285mW 300mW 300mW 300mW
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce 100 @ 1mA, 5V / 68 @ 100mA, 5V 56 @ 5mA, 5V 82 @ 100mA, 5V 100 @ 1mA, 5V
Numero di prodotto di base IMD10 IMD2 IMD14 IMD1
Resistor - Base (R1) 13kOhms, 130Ohms 22kOhms 220Ohms 22kOhms
Corrente - collettore (Ic) (max) 500mA 100mA 500mA 100mA
Tensione - rottura collettore-emettitore (max) 50V 50V 50V 50V
Serie - - - -
Frequenza - transizione - 250MHz 250MHz 250MHz
Resistor - Emitter Base (R2) 10kOhms 22kOhms 10kOhms -
Tipo transistor 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)

IMD10AMT1G Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IMD10AMT1G PDF e la documentazione onsemi per IMD10AMT1G - onsemi.

Informazioni ambientali
onsemi RoHS.pdf
Assemblaggio/origine PCN
Mult Dev Wafer Fab Site Add 2/Nov/2017.pdf
Schede tecniche
IMD10AMT1G.pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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