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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor - Bipolare (BJT) - Array, pre -polarizzatoIMD2AT108
IMD2AT108 Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

IMD2AT108 - Rohm Semiconductor

fabbricante Modello di prodotti
IMD2AT108
fabbricante
LAPIS Technology
Allelco Modello di prodotti
32D-IMD2AT108
Modello ECAD
Descrizione delle parti
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SMT6
Descrizione dettagliata
Pacchetto
SC-74, SOT-457
Scheda dati
SMT6 T108 Taping Spec.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 297220

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche IMD2AT108
Specifiche tecniche Rohm Semiconductor - IMD2AT108, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Rohm Semiconductor - IMD2AT108

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante LAPIS Technology  
Tensione - rottura collettore-emettitore (max) 50V  
Vce saturazione (max) a Ib, Ic 300mV @ 500µA, 10mA  
Tipo transistor 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)  
Contenitore dispositivo fornitore SMT6  
Serie -  
Resistor - Emitter Base (R2) 22kOhms  
Resistor - Base (R1) 22kOhms  
Potenza - Max 300mW  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
Contenitore / involucro SC-74, SOT-457  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Frequenza - transizione 250MHz  
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce 56 @ 5mA, 5V  
Corrente - Cutoff collettore (max) 500nA  
Corrente - collettore (Ic) (max) 100mA  
Numero di prodotto di base IMD2  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Rohm Semiconductor IMD2AT108

Proprietà del prodotto IMD2AT108 IMD9AT108 IMD6AT108 IMD16AT108
Modello di prodotti IMD2AT108 IMD9AT108 IMD6AT108 IMD16AT108
fabbricante Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor
Tensione - rottura collettore-emettitore (max) 50V 50V 50V 50V
Resistor - Emitter Base (R2) 22kOhms 47kOhms - 22kOhms
Vce saturazione (max) a Ib, Ic 300mV @ 500µA, 10mA 300mV @ 250µA, 5mA 300mV @ 250µA, 5mA 300mV @ 2.5mA, 50mA / 300mV @ 100µA, 1mA
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce 56 @ 5mA, 5V 68 @ 5mA, 5V 100 @ 1mA, 5V 100 @ 1mA, 5V / 82 @ 50mA, 5V
Serie - - - -
Contenitore / involucro SC-74, SOT-457 SC-74, SOT-457 SC-74, SOT-457 SC-74, SOT-457
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Frequenza - transizione 250MHz 250MHz 250MHz 250MHz
Tipo transistor 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 1 PNP Pre-Biased, 1 NPN 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Corrente - Cutoff collettore (max) 500nA 500nA 500nA (ICBO) -
Contenitore dispositivo fornitore SMT6 SMT6 SMT6 SMT6
Numero di prodotto di base IMD2 IMD9 IMD6 IMD16
Corrente - collettore (Ic) (max) 100mA 100mA 100mA 100mA, 500mA
Potenza - Max 300mW 300mW 300mW 300mW
Resistor - Base (R1) 22kOhms 10kOhms 4.7kOhms 100kOhms, 2.2kOhms

IMD2AT108 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IMD2AT108 PDF e la documentazione Rohm Semiconductor per IMD2AT108 - Rohm Semiconductor.

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Europa Germania 5
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Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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