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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloIXTA100N04T2-TRL
IXTA100N04T2-TRL Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

IXTA100N04T2-TRL - IXYS

fabbricante Modello di prodotti
IXTA100N04T2-TRL
fabbricante
IXYS Corporation
Allelco Modello di prodotti
32D-IXTA100N04T2-TRL
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 40V 100A TO263
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Scheda dati
IXTA100N04T2-TRL.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 23798

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Specifiche

Specifiche tecnologiche IXTA100N04T2-TRL
Specifiche tecniche IXYS - IXTA100N04T2-TRL, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad IXYS - IXTA100N04T2-TRL

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante IXYS Corporation  
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-263 (D2Pak)  
Serie TrenchT2™  
Rds On (max) a Id, Vgs 7mOhm @ 25A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 150W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2690 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 25.5 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 40 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 100A (Tc)  
Numero di prodotto di base IXTA100  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di IXYS IXTA100N04T2-TRL

Proprietà del prodotto IXTA100N04T2-TRL IXTA170N075T2 IXTA05N100 IXTA140P05T
Modello di prodotti IXTA100N04T2-TRL IXTA170N075T2 IXTA05N100 IXTA140P05T
fabbricante IXYS IXYS IXYS IXYS
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tube Tube Tube
Contenitore / involucro TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Caratteristica FET - - - -
Vgs (Max) ±20V ±20V ±30V ±15V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2690 pF @ 25 V 6860 pF @ 25 V 260 pF @ 25 V 13500 pF @ 25 V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 100A (Tc) 170A (Tc) 750mA (Tc) 140A (Tc)
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel P-Channel
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4.5V @ 250µA 4V @ 250µA
Rds On (max) a Id, Vgs 7mOhm @ 25A, 10V 5.4mOhm @ 50A, 10V 17Ohm @ 375mA, 10V 9mOhm @ 70A, 10V
Numero di prodotto di base IXTA100 IXTA170 IXTA05 IXTA140
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 25.5 nC @ 10 V 109 nC @ 10 V 7.8 nC @ 10 V 200 nC @ 10 V
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Serie TrenchT2™ TrenchT2™ - TrenchP™
Tensione drain-source (Vdss) 40 V 75 V 1000 V 50 V
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Contenitore dispositivo fornitore TO-263 (D2Pak) TO-263AA TO-263AA TO-263AA
Dissipazione di potenza (max) 150W (Tc) 360W (Tc) 40W (Tc) 298W (Tc)

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Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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