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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloIXTA05N100
IXTA05N100 Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.
OPZIONE ESPRIT
Metodo di pagamento

IXTA05N100 - IXYS

fabbricante Modello di prodotti
IXTA05N100
fabbricante
IXYS Corporation
Allelco Modello di prodotti
32D-IXTA05N100
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 1000V 750MA TO263
Pacchetto
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Scheda dati
IXT(A,P)05N100.pdf
Stato RoHS
La nostra certificazione
In magazzino: 7339

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Quantità
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Specifiche

Specifiche tecnologiche IXTA05N100
Specifiche tecniche IXYS - IXTA05N100, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad IXYS - IXTA05N100

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante IXYS Corporation  
Vgs (th) (max) a Id 4.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-263AA  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 17Ohm @ 375mA, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 40W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 260 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 7.8 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 1000 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 750mA (Tc)  
Numero di prodotto di base IXTA05  

Classificazioni ambientali e di esportazione

ATTRIBUTO DESCRIZIONE
Stato RoHS
Livello di sensibilità all'umidità (MSL) 1 (Unlimited)
Raggiungere lo stato REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di IXYS IXTA05N100

Proprietà del prodotto IXTA05N100 IXTA08N100D2 IXTA110N055T2 IXTA10P50P
Modello di prodotti IXTA05N100 IXTA08N100D2 IXTA110N055T2 IXTA10P50P
fabbricante IXYS IXYS IXYS IXYS
Vgs (Max) ±30V ±20V ±20V ±20V
Rds On (max) a Id, Vgs 17Ohm @ 375mA, 10V 21Ohm @ 400mA, 0V 6.6mOhm @ 25A, 10V 1Ohm @ 5A, 10V
Caratteristica FET - Depletion Mode - -
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs (th) (max) a Id 4.5V @ 250µA - 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Dissipazione di potenza (max) 40W (Tc) 60W (Tc) 180W (Tc) 300W (Tc)
Serie - Depletion TrenchT2™ Polar
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 750mA (Tc) 800mA (Tc) 110A (Tc) 10A (Tc)
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 260 pF @ 25 V 325 pF @ 25 V 3060 pF @ 25 V 2840 pF @ 25 V
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 7.8 nC @ 10 V 14.6 nC @ 5 V 57 nC @ 10 V 50 nC @ 10 V
Contenitore dispositivo fornitore TO-263AA TO-263AA TO-263AA TO-263AA
Tensione drain-source (Vdss) 1000 V 1000 V 55 V 500 V
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V - 10V 10V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel P-Channel
Contenitore / involucro TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pacchetto Tube Tube Tube Tube
Numero di prodotto di base IXTA05 IXTA08 IXTA110 IXTA10

IXTA05N100 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IXTA05N100 PDF e la documentazione IXYS per IXTA05N100 - IXYS.

Schede tecniche
IXT(A,P)05N100.pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Nota:
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