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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-matriciVKM60-01P1
IXYS
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

VKM60-01P1 - IXYS

fabbricante Modello di prodotti
VKM60-01P1
fabbricante
IXYS Corporation
Allelco Modello di prodotti
32D-VKM60-01P1
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET 4N-CH 100V 75A ECO-PAC2
Descrizione dettagliata
Pacchetto
ECO-PAC2
Scheda dati
VKM60-01P1.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 544

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche VKM60-01P1
Specifiche tecniche IXYS - VKM60-01P1, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad IXYS - VKM60-01P1

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante IXYS Corporation  
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 4mA  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore ECO-PAC2  
Serie HiPerFET™  
Rds On (max) a Id, Vgs 25mOhm @ 500mA, 10V  
Potenza - Max 300W  
Contenitore / involucro ECO-PAC2  
Pacchetto Box  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 4500pF @ 25V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 260nC @ 10V  
Caratteristica FET -  
Tensione drain-source (Vdss) 100V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 75A  
Configurazione 4 N-Channel (Half Bridge)  
Numero di prodotto di base VKM60  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di IXYS VKM60-01P1

Proprietà del prodotto VKM60-01P1 FDMS3604S VKM40-06P1 AO4852
Modello di prodotti VKM60-01P1 FDMS3604S VKM40-06P1 AO4852
fabbricante IXYS Fairchild Semiconductor IXYS Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Tipo montaggio Through Hole Surface Mount Chassis Mount Surface Mount
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 4500pF @ 25V 1785pF @ 15V - 450pF @ 30V
Potenza - Max 300W 1W - 1.4W
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 4mA 2.7V @ 250µA 5.5V @ 3mA 2.6V @ 250µA
Contenitore dispositivo fornitore ECO-PAC2 8-PQFN (5x6) ECO-PAC2 8-SOIC
Pacchetto Box Bulk Box Tape & Reel (TR)
Caratteristica FET - Logic Level Gate - Logic Level Gate
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 75A 13A, 23A 38A 3A
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 260nC @ 10V 29nC @ 10V 220nC @ 10V 9.2nC @ 10V
Tensione drain-source (Vdss) 100V 30V 600V 60V
Serie HiPerFET™ PowerTrench® - -
Numero di prodotto di base VKM60 FDMS3604 VHM40 AO485
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (max) a Id, Vgs 25mOhm @ 500mA, 10V 8mOhm @ 13A, 10V 70mOhm @ 25A, 10V 90mOhm @ 3A, 10V
Contenitore / involucro ECO-PAC2 8-PowerTDFN ECO-PAC2 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Configurazione 4 N-Channel (Half Bridge) 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 4 N-Channel (Half Bridge) 2 N-Channel (Dual)

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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