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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-matriciIRF7325TRPBF
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Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

IRF7325TRPBF - Infineon Technologies

fabbricante Modello di prodotti
IRF7325TRPBF
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-IRF7325TRPBF
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET 2P-CH 12V 7.8A 8-SOIC
Descrizione dettagliata
Pacchetto
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Scheda dati
IRF7325PbF.pdf
In magazzino: 4600

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Specifiche

Specifiche tecnologiche IRF7325TRPBF
Specifiche tecniche Infineon Technologies - IRF7325TRPBF, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Infineon Technologies - IRF7325TRPBF

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Vgs (th) (max) a Id 900mV @ 250µA  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore 8-SO  
Serie HEXFET®  
Rds On (max) a Id, Vgs 24mOhm @ 7.8A, 4.5V  
Potenza - Max 2W  
Contenitore / involucro 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2020pF @ 10V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 33nC @ 4.5V  
Caratteristica FET Logic Level Gate  
Tensione drain-source (Vdss) 12V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 7.8A  
Configurazione 2 P-Channel (Dual)  
Numero di prodotto di base IRF732  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Infineon Technologies IRF7325TRPBF

Proprietà del prodotto IRF7325TRPBF IRF7325 IRF7324TRPBF IRF7324PBF
Modello di prodotti IRF7325TRPBF IRF7325 IRF7324TRPBF IRF7324PBF
fabbricante Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR) Tube
Potenza - Max 2W 2W 2W 2W
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2020pF @ 10V 2020pF @ 10V 2940pF @ 15V 2940pF @ 15V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 7.8A 7.8A 9A 9A
Tensione drain-source (Vdss) 12V 12V 20V 20V
Caratteristica FET Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 33nC @ 4.5V 33nC @ 4.5V 63nC @ 5V 63nC @ 5V
Contenitore / involucro 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (max) a Id, Vgs 24mOhm @ 7.8A, 4.5V 24mOhm @ 7.8A, 4.5V 18mOhm @ 9A, 4.5V 18mOhm @ 9A, 4.5V
Contenitore dispositivo fornitore 8-SO 8-SO 8-SO 8-SO
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Configurazione 2 P-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual)
Vgs (th) (max) a Id 900mV @ 250µA 900mV @ 250µA 1V @ 250µA 1V @ 250µA
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Numero di prodotto di base IRF732 IRF732 IRF732 IRF732

IRF7325TRPBF Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IRF7325TRPBF PDF e la documentazione Infineon Technologies per IRF7325TRPBF - Infineon Technologies.

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Europa Germania 5
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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