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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-matriciVBH40-05B
IXYS
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

VBH40-05B - IXYS

fabbricante Modello di prodotti
VBH40-05B
fabbricante
IXYS Corporation
Allelco Modello di prodotti
32D-VBH40-05B
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET 4N-CH 500V 40A V2
Descrizione dettagliata
Pacchetto
V2-PAK
Scheda dati
VBH40-05B.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 5120

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche VBH40-05B
Specifiche tecniche IXYS - VBH40-05B, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad IXYS - VBH40-05B

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante IXYS Corporation  
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 8mA  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore V2-PAK  
Serie HiPerFET™  
Rds On (max) a Id, Vgs 116mOhm @ 30A, 10V  
Potenza - Max -  
Contenitore / involucro V2-PAK  
Pacchetto Box  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Chassis Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds -  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 270nC @ 10V  
Caratteristica FET -  
Tensione drain-source (Vdss) 500V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 40A  
Configurazione 4 N-Channel (Half Bridge)  
Numero di prodotto di base VBH40  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di IXYS VBH40-05B

Proprietà del prodotto VBH40-05B AO8814 SI5997DU-T1-GE3 CSD88537NDT
Modello di prodotti VBH40-05B AO8814 SI5997DU-T1-GE3 CSD88537NDT
fabbricante IXYS Alpha & Omega Semiconductor Inc. Vishay Siliconix Texas Instruments
Contenitore dispositivo fornitore V2-PAK 8-TSSOP PowerPAK® ChipFet Dual 8-SOIC
Configurazione 4 N-Channel (Half Bridge) 2 N-Channel (Dual) Common Drain 2 P-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual)
Numero di prodotto di base VBH40 AO881 SI5997 CSD88537
Caratteristica FET - Logic Level Gate Logic Level Gate -
Rds On (max) a Id, Vgs 116mOhm @ 30A, 10V 16mOhm @ 7.5A, 10V 54mOhm @ 3A, 10V 15mOhm @ 8A, 10V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 270nC @ 10V 15.4nC @ 4.5V 14.5nC @ 10V 18nC @ 10V
Tipo montaggio Chassis Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Pacchetto Box Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro V2-PAK 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) PowerPAK® ChipFET™ Dual 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Potenza - Max - 1.5W 10.4W 2.1W
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds - 1390pF @ 10V 430pF @ 15V 1400pF @ 30V
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 8mA 1V @ 250µA 2.4V @ 250µA 3.6V @ 250µA
Tensione drain-source (Vdss) 500V 20V 30V 60V
Serie HiPerFET™ - TrenchFET® NexFET™
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 40A - 6A 15A
temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)

VBH40-05B Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica VBH40-05B PDF e la documentazione IXYS per VBH40-05B - IXYS.

Schede tecniche
VBH40-05B.pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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