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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloIXTT68P20T
IXTT68P20T Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

IXTT68P20T - IXYS

fabbricante Modello di prodotti
IXTT68P20T
fabbricante
IXYS Corporation
Allelco Modello di prodotti
32D-IXTT68P20T
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET P-CH 200V 68A TO268
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Scheda dati
IXT(T,H)68P20T.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 2185

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche IXTT68P20T
Specifiche tecniche IXYS - IXTT68P20T, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad IXYS - IXTT68P20T

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante IXYS Corporation  
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±15V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-268AA  
Serie TrenchP™  
Rds On (max) a Id, Vgs 55mOhm @ 34A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 568W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 33400 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 380 nC @ 10 V  
Tipo FET P-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 200 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 68A (Tc)  
Numero di prodotto di base IXTT68  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di IXYS IXTT68P20T

Proprietà del prodotto IXTT68P20T IXTT12N150HV IXTU01N100D IXTQ96N15P
Modello di prodotti IXTT68P20T IXTT12N150HV IXTU01N100D IXTQ96N15P
fabbricante IXYS IXYS IXYS IXYS
Dissipazione di potenza (max) 568W (Tc) 890W (Tc) 1.1W (Ta), 25W (Tc) 480W (Tc)
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 0V 10V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 380 nC @ 10 V 106 nC @ 10 V 5.8 nC @ 5 V 110 nC @ 10 V
Tipo FET P-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Tensione drain-source (Vdss) 200 V 1500 V 1000 V 150 V
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Through Hole Through Hole
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 33400 pF @ 25 V 3720 pF @ 25 V 100 pF @ 25 V 3500 pF @ 25 V
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Numero di prodotto di base IXTT68 IXTT12 IXTU01 IXTQ96
Pacchetto Tube Tube Tube Tube
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Caratteristica FET - - Depletion Mode -
Vgs (Max) ±15V ±30V ±20V ±20V
Contenitore dispositivo fornitore TO-268AA TO-268AA TO-251AA TO-3P
Serie TrenchP™ - Depletion Polar
Rds On (max) a Id, Vgs 55mOhm @ 34A, 10V - 80Ohm @ 50mA, 0V 24mOhm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA 4.5V @ 250µA 4.5V @ 25µA 5V @ 250µA
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 68A (Tc) 12A (Tc) 400mA (Tc) 96A (Tc)
Contenitore / involucro TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-3P-3, SC-65-3

IXTT68P20T Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IXTT68P20T PDF e la documentazione IXYS per IXTT68P20T - IXYS.

Schede tecniche
IXT(T,H)68P20T.pdf

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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