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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloIXTV18N60PS
IXYS
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

IXTV18N60PS - IXYS

fabbricante Modello di prodotti
IXTV18N60PS
fabbricante
IXYS Corporation
Allelco Modello di prodotti
32D-IXTV18N60PS
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 600V 18A PLUS-220SMD
Descrizione dettagliata
Pacchetto
PLUS-220SMD
Scheda dati
IXTQ18N60P, IXTV18N60P/PS.pdf
In magazzino: 5090

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Specifiche

Specifiche tecnologiche IXTV18N60PS
Specifiche tecniche IXYS - IXTV18N60PS, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad IXYS - IXTV18N60PS

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante IXYS Corporation  
Vgs (th) (max) a Id 5.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore PLUS-220SMD  
Serie PolarHV™  
Rds On (max) a Id, Vgs 420mOhm @ 9A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 360W (Tc)  
Contenitore / involucro PLUS-220SMD  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2500 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 49 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 600 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 18A (Tc)  
Numero di prodotto di base IXTV18  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di IXYS IXTV18N60PS

Proprietà del prodotto IXTV18N60PS IXTU05N100 IXTX120N65X2 IXTY02N120P-TRL
Modello di prodotti IXTV18N60PS IXTU05N100 IXTX120N65X2 IXTY02N120P-TRL
fabbricante IXYS IXYS IXYS IXYS
Rds On (max) a Id, Vgs 420mOhm @ 9A, 10V 17Ohm @ 375mA, 10V 24mOhm @ 60A, 10V 75Ohm @ 100mA, 10V
Tipo montaggio Surface Mount Through Hole Through Hole Surface Mount
Caratteristica FET - - - -
Contenitore / involucro PLUS-220SMD TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-247-3 Variant TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Serie PolarHV™ - Ultra X2 Polar
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Tensione drain-source (Vdss) 600 V 1000 V 650 V 1200 V
Contenitore dispositivo fornitore PLUS-220SMD TO-251AA PLUS247™-3 TO-252AA
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2500 pF @ 25 V 260 pF @ 25 V 13600 pF @ 25 V 104 pF @ 25 V
Dissipazione di potenza (max) 360W (Tc) 40W (Tc) 1250W (Tc) 33W (Tc)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 18A (Tc) 750mA (Tc) 120A (Tc) 200mA (Tc)
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs (th) (max) a Id 5.5V @ 250µA 4.5V @ 250µA 4.5V @ 8mA 4V @ 100µA
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 49 nC @ 10 V 7.8 nC @ 10 V 240 nC @ 10 V 4.7 nC @ 10 V
Numero di prodotto di base IXTV18 IXTU05 IXTX120 IXTY02
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V ±30V ±30V ±20V
Pacchetto Tube Tube Tube Tape & Reel (TR)

IXTV18N60PS Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IXTV18N60PS PDF e la documentazione IXYS per IXTV18N60PS - IXYS.

Schede tecniche
IXTQ18N60P, IXTV18N60P/PS.pdf
PCN Obsolescence/ EOL
Multiple Devices 22/Feb/2013.pdf

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
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Europa Germania 5
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Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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