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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloIXTR200N10P
IXTR200N10P Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

IXTR200N10P - IXYS

fabbricante Modello di prodotti
IXTR200N10P
fabbricante
IXYS Corporation
Allelco Modello di prodotti
32D-IXTR200N10P
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 100V 120A ISOPLUS247
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-247-3
Scheda dati
IXTR200N10P.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 2101

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche IXTR200N10P
Specifiche tecniche IXYS - IXTR200N10P, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad IXYS - IXTR200N10P

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante IXYS Corporation  
Vgs (th) (max) a Id 5V @ 500µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore ISOPLUS247™  
Serie Polar  
Rds On (max) a Id, Vgs 8mOhm @ 60A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 300W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-247-3  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 7600 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 235 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 100 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 120A (Tc)  
Numero di prodotto di base IXTR200  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di IXYS IXTR200N10P

Proprietà del prodotto IXTR200N10P IXTU01N100D IXTT02N450HV IXTQ96N25T
Modello di prodotti IXTR200N10P IXTU01N100D IXTT02N450HV IXTQ96N25T
fabbricante IXYS IXYS IXYS IXYS
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 120A (Tc) 400mA (Tc) 200mA (Tc) 96A (Tc)
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Contenitore / involucro TO-247-3 TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA TO-3P-3, SC-65-3
Caratteristica FET - Depletion Mode - -
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 0V 10V 10V
Dissipazione di potenza (max) 300W (Tc) 1.1W (Ta), 25W (Tc) 113W (Tc) 625W (Tc)
Contenitore dispositivo fornitore ISOPLUS247™ TO-251AA TO-268AA TO-3P
Pacchetto Tube Tube Tube Tube
Vgs (th) (max) a Id 5V @ 500µA 4.5V @ 25µA 6.5V @ 250µA 5V @ 1mA
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 7600 pF @ 25 V 100 pF @ 25 V 256 pF @ 25 V 6100 pF @ 25 V
Rds On (max) a Id, Vgs 8mOhm @ 60A, 10V 80Ohm @ 50mA, 0V 750Ohm @ 10mA, 10V 29mOhm @ 500mA, 10V
Serie Polar Depletion - Trench
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 235 nC @ 10 V 5.8 nC @ 5 V 10.4 nC @ 10 V 114 nC @ 10 V
Tensione drain-source (Vdss) 100 V 1000 V 4500 V 250 V
Numero di prodotto di base IXTR200 IXTU01 IXTT02 IXTQ96
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Surface Mount Through Hole
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±30V

IXTR200N10P Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IXTR200N10P PDF e la documentazione IXYS per IXTR200N10P - IXYS.

Schede tecniche
IXTR200N10P.pdf

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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