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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloIXTQ76N25T
IXYS
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.
OPZIONE ESPRIT
Metodo di pagamento

IXTQ76N25T - IXYS

fabbricante Modello di prodotti
IXTQ76N25T
fabbricante
IXYS Corporation
Allelco Modello di prodotti
32D-IXTQ76N25T
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 250V 76A TO3P
Pacchetto
TO-3P-3, SC-65-3
Scheda dati
IXT(A,H,P,Q,T)76N25T.pdf
Stato RoHS
La nostra certificazione
In magazzino: 9369

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Quantità
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Specifiche

Specifiche tecnologiche IXTQ76N25T
Specifiche tecniche IXYS - IXTQ76N25T, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad IXYS - IXTQ76N25T

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante IXYS Corporation  
Vgs (th) (max) a Id 5V @ 1mA  
Vgs (Max) ±30V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-3P  
Serie Trench  
Rds On (max) a Id, Vgs 39mOhm @ 500mA, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 460W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-3P-3, SC-65-3  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 4500 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 92 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 250 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 76A (Tc)  
Numero di prodotto di base IXTQ76  

Classificazioni ambientali e di esportazione

ATTRIBUTO DESCRIZIONE
Stato RoHS
Livello di sensibilità all'umidità (MSL) 1 (Unlimited)
Raggiungere lo stato REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di IXYS IXTQ76N25T

Proprietà del prodotto IXTQ76N25T IXTQ75N10P IXTQ64N25P IXTQ74N20P
Modello di prodotti IXTQ76N25T IXTQ75N10P IXTQ64N25P IXTQ74N20P
fabbricante IXYS IXYS IXYS IXYS
Tensione drain-source (Vdss) 250 V 100 V 250 V 200 V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 76A (Tc) 75A (Tc) 64A (Tc) 74A (Tc)
Serie Trench Polar Polar Polar
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Contenitore / involucro TO-3P-3, SC-65-3 TO-3P-3, SC-65-3 TO-3P-3, SC-65-3 TO-3P-3, SC-65-3
Vgs (th) (max) a Id 5V @ 1mA 5.5V @ 250µA 5V @ 250µA 5V @ 250µA
Dissipazione di potenza (max) 460W (Tc) 360W (Tc) 400W (Tc) 480W (Tc)
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 92 nC @ 10 V 74 nC @ 10 V 105 nC @ 10 V 107 nC @ 10 V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V ±20V ±20V ±20V
Numero di prodotto di base IXTQ76 IXTQ75 IXTQ64 IXTQ74
Rds On (max) a Id, Vgs 39mOhm @ 500mA, 10V 25mOhm @ 500mA, 10V 49mOhm @ 500mA, 10V 34mOhm @ 37A, 10V
Pacchetto Tube Tube Tube Tube
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 4500 pF @ 25 V 2250 pF @ 25 V 3450 pF @ 25 V 3300 pF @ 25 V
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Contenitore dispositivo fornitore TO-3P TO-3P TO-3P TO-3P
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Caratteristica FET - - - -

IXTQ76N25T Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IXTQ76N25T PDF e la documentazione IXYS per IXTQ76N25T - IXYS.

PCN Design/Specifica
Multiple Devices Material 23/Jun/2020.pdf
Schede tecniche
IXT(A,H,P,Q,T)76N25T.pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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