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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloIXTQ60N10T
IXYS
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

IXTQ60N10T - IXYS

fabbricante Modello di prodotti
IXTQ60N10T
fabbricante
IXYS Corporation
Allelco Modello di prodotti
32D-IXTQ60N10T
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 100V 60A TO3P
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-3P-3, SC-65-3
Scheda dati
IXTQ60N10T.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 11804

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche IXTQ60N10T
Specifiche tecniche IXYS - IXTQ60N10T, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad IXYS - IXTQ60N10T

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante IXYS Corporation  
Vgs (th) (max) a Id 4.5V @ 50µA  
Vgs (Max) ±30V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-3P  
Serie Trench  
Rds On (max) a Id, Vgs 18mOhm @ 25A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 176W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-3P-3, SC-65-3  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2650 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 49 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 100 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 60A (Tc)  
Numero di prodotto di base IXTQ60  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di IXYS IXTQ60N10T

Proprietà del prodotto IXTQ60N10T IXTQ62N15P IXTQ48N20T IXTQ52N30P
Modello di prodotti IXTQ60N10T IXTQ62N15P IXTQ48N20T IXTQ52N30P
fabbricante IXYS IXYS IXYS IXYS
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2650 pF @ 25 V 2250 pF @ 25 V 3090 pF @ 25 V 3490 pF @ 25 V
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs (th) (max) a Id 4.5V @ 50µA 5.5V @ 250µA 4.5V @ 250µA 5V @ 250µA
Vgs (Max) ±30V ±20V ±30V ±20V
Dissipazione di potenza (max) 176W (Tc) 350W (Tc) 250W (Tc) 400W (Tc)
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Serie Trench Polar Trench Polar
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 60A (Tc) 62A (Tc) 48A (Tc) 52A (Tc)
Caratteristica FET - - - -
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (max) a Id, Vgs 18mOhm @ 25A, 10V 40mOhm @ 31A, 10V 50mOhm @ 24A, 10V 66mOhm @ 26A, 10V
Contenitore / involucro TO-3P-3, SC-65-3 TO-3P-3, SC-65-3 TO-3P-3, SC-65-3 TO-3P-3, SC-65-3
Numero di prodotto di base IXTQ60 IXTQ62 IXTQ48 IXTQ52
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 49 nC @ 10 V 70 nC @ 10 V 60 nC @ 10 V 110 nC @ 10 V
Tensione drain-source (Vdss) 100 V 150 V 200 V 300 V
Pacchetto Tube Tube Tube Tube
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Contenitore dispositivo fornitore TO-3P TO-3P TO-3P TO-3P
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole

IXTQ60N10T Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IXTQ60N10T PDF e la documentazione IXYS per IXTQ60N10T - IXYS.

PCN Design/Specifica
Multiple Devices Material 23/Jun/2020.pdf

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Europa Germania 5
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Asia India 4
Giappone 4
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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