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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloIXTQ82N25P
IXYS
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.
OPZIONE ESPRIT
Metodo di pagamento

IXTQ82N25P - IXYS

fabbricante Modello di prodotti
IXTQ82N25P
fabbricante
IXYS Corporation
Allelco Modello di prodotti
32D-IXTQ82N25P
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 250V 82A TO3P
Pacchetto
TO-3P-3, SC-65-3
Scheda dati
IXT(K,Q,T)82N25P.pdf
Stato RoHS
La nostra certificazione
In magazzino: 9195

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Quantità
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Specifiche

Specifiche tecnologiche IXTQ82N25P
Specifiche tecniche IXYS - IXTQ82N25P, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad IXYS - IXTQ82N25P

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante IXYS Corporation  
Vgs (th) (max) a Id 5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-3P  
Serie Polar  
Rds On (max) a Id, Vgs 35mOhm @ 41A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 500W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-3P-3, SC-65-3  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 4800 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 142 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 250 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 82A (Tc)  
Numero di prodotto di base IXTQ82  

Classificazioni ambientali e di esportazione

ATTRIBUTO DESCRIZIONE
Stato RoHS
Livello di sensibilità all'umidità (MSL) 1 (Unlimited)
Raggiungere lo stato REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di IXYS IXTQ82N25P

Proprietà del prodotto IXTQ82N25P IXTQ96N20P IXTQ80N28T IXTQ76N25T
Modello di prodotti IXTQ82N25P IXTQ96N20P IXTQ80N28T IXTQ76N25T
fabbricante IXYS IXYS IXYS IXYS
Rds On (max) a Id, Vgs 35mOhm @ 41A, 10V 24mOhm @ 500mA, 10V 49mOhm @ 500mA, 10V 39mOhm @ 500mA, 10V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±30V ±30V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 142 nC @ 10 V 145 nC @ 10 V 115 nC @ 10 V 92 nC @ 10 V
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Contenitore dispositivo fornitore TO-3P TO-3P TO-3P TO-3P
Pacchetto Tube Tube Tube Tube
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Dissipazione di potenza (max) 500W (Tc) 600W (Tc) 500W (Tc) 460W (Tc)
Vgs (th) (max) a Id 5V @ 250µA 5V @ 250µA 5V @ 1mA 5V @ 1mA
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 4800 pF @ 25 V 4800 pF @ 25 V 5000 pF @ 25 V 4500 pF @ 25 V
Contenitore / involucro TO-3P-3, SC-65-3 TO-3P-3, SC-65-3 TO-3P-3, SC-65-3 TO-3P-3, SC-65-3
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Serie Polar Polar - Trench
Tensione drain-source (Vdss) 250 V 200 V 280 V 250 V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 82A (Tc) 96A (Tc) 80A (Tc) 76A (Tc)
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Numero di prodotto di base IXTQ82 IXTQ96 IXTQ80 IXTQ76
Caratteristica FET - - - -

IXTQ82N25P Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IXTQ82N25P PDF e la documentazione IXYS per IXTQ82N25P - IXYS.

PCN Design/Specifica
Multiple Devices Material 23/Jun/2020.pdf
Schede tecniche
IXT(K,Q,T)82N25P.pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Nota:
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