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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloIXTP44N10T
IXTP44N10T Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

IXTP44N10T - IXYS

fabbricante Modello di prodotti
IXTP44N10T
fabbricante
IXYS Corporation
Allelco Modello di prodotti
32D-IXTP44N10T
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 100V 44A TO220AB
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-220-3
Scheda dati
IXT(P,Y)44N10T.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 34760

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche IXTP44N10T
Specifiche tecniche IXYS - IXTP44N10T, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad IXYS - IXTP44N10T

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante IXYS Corporation  
Vgs (th) (max) a Id 4.5V @ 25µA  
Vgs (Max) ±30V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-220-3  
Serie Trench  
Rds On (max) a Id, Vgs 30mOhm @ 22A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 130W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-220-3  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1262 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 33 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 100 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 44A (Tc)  
Numero di prodotto di base IXTP44  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di IXYS IXTP44N10T

Proprietà del prodotto IXTP44N10T IXTP4N65X2 IXTP48N20T IXTP50N25T
Modello di prodotti IXTP44N10T IXTP4N65X2 IXTP48N20T IXTP50N25T
fabbricante IXYS IXYS IXYS IXYS
Vgs (th) (max) a Id 4.5V @ 25µA 5V @ 250µA 4.5V @ 250µA 5V @ 1mA
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1262 pF @ 25 V 455 pF @ 25 V 3000 pF @ 25 V 4000 pF @ 25 V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Dissipazione di potenza (max) 130W (Tc) 80W (Tc) 250W (Tc) 400W (Tc)
Caratteristica FET - - - -
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Pacchetto Tube Tube Tube Tube
Rds On (max) a Id, Vgs 30mOhm @ 22A, 10V 850mOhm @ 2A, 10V 50mOhm @ 24A, 10V 50mOhm @ 25A, 10V
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Vgs (Max) ±30V ±30V ±30V ±30V
Numero di prodotto di base IXTP44 IXTP4 IXTP48 IXTP50
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 33 nC @ 10 V 8.3 nC @ 10 V 60 nC @ 10 V 78 nC @ 10 V
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Tensione drain-source (Vdss) 100 V 650 V 200 V 250 V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 44A (Tc) 4A (Tc) 48A (Tc) 50A (Tc)
Contenitore / involucro TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Contenitore dispositivo fornitore TO-220-3 TO-220 TO-220-3 TO-220-3
Serie Trench Ultra X2 Trench Trench

IXTP44N10T Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IXTP44N10T PDF e la documentazione IXYS per IXTP44N10T - IXYS.

Schede tecniche
IXT(P,Y)44N10T.pdf

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
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Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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