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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloIXTH20P50P
IXTH20P50P Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

IXTH20P50P - IXYS

fabbricante Modello di prodotti
IXTH20P50P
fabbricante
IXYS Corporation
Allelco Modello di prodotti
32D-IXTH20P50P
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET P-CH 500V 20A TO247
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-247-3
Scheda dati
IXT(H,T)20P50P.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 4588

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche IXTH20P50P
Specifiche tecniche IXYS - IXTH20P50P, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad IXYS - IXTH20P50P

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante IXYS Corporation  
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-247 (IXTH)  
Serie PolarP™  
Rds On (max) a Id, Vgs 450mOhm @ 10A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 460W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-247-3  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 5120 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 103 nC @ 10 V  
Tipo FET P-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 500 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 20A (Tc)  
Numero di prodotto di base IXTH20  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di IXYS IXTH20P50P

Proprietà del prodotto IXTH20P50P IXTH21N50 IXTH24P20 IXTH16N10D2
Modello di prodotti IXTH20P50P IXTH21N50 IXTH24P20 IXTH16N10D2
fabbricante IXYS IXYS IXYS IXYS
Tensione drain-source (Vdss) 500 V 500 V 200 V 100 V
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Pacchetto Tube Tube Tube Tube
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 0V
Contenitore dispositivo fornitore TO-247 (IXTH) TO-247 (IXTH) TO-247 (IXTH) TO-247 (IXTH)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 20A (Tc) 21A (Tc) 24A (Tc) 16A (Tc)
Dissipazione di potenza (max) 460W (Tc) 300W (Tc) 300W (Tc) 830W (Tc)
Numero di prodotto di base IXTH20 IXTH21 IXTH24 IXTH16
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Tipo FET P-Channel N-Channel P-Channel N-Channel
Rds On (max) a Id, Vgs 450mOhm @ 10A, 10V 250mOhm @ 10.5A, 10V 150mOhm @ 500mA, 10V 64mOhm @ 8A, 0V
Caratteristica FET - - - Depletion Mode
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 103 nC @ 10 V 190 nC @ 10 V 150 nC @ 10 V 225 nC @ 5 V
Contenitore / involucro TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
Serie PolarP™ MegaMOS™ - Depletion
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 5120 pF @ 25 V 4200 pF @ 25 V 4200 pF @ 25 V 5700 pF @ 25 V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 5V @ 250µA -
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole

IXTH20P50P Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IXTH20P50P PDF e la documentazione IXYS per IXTH20P50P - IXYS.

Schede tecniche
IXT(H,T)20P50P.pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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