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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloIXTH1N250
IXTH1N250 Image
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IXTH1N250 - IXYS

fabbricante Modello di prodotti
IXTH1N250
fabbricante
IXYS Corporation
Allelco Modello di prodotti
32D-IXTH1N250
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 2500V 1.5A TO-247AD
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-247-3
Scheda dati
IXTH1N250.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 851

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche IXTH1N250
Specifiche tecniche IXYS - IXTH1N250, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad IXYS - IXTH1N250

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante IXYS Corporation  
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-247AD  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 40Ohm @ 750mA, 10V  
Contenitore / involucro TO-247-3  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1660 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 41 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione drain-source (Vdss) 2500 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 1.5A (Tc)  
Numero di prodotto di base IXTH1  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di IXYS IXTH1N250

Proprietà del prodotto IXTH1N250 IXTH20P50P IXTH20N60 IXTH200N10T
Modello di prodotti IXTH1N250 IXTH20P50P IXTH20N60 IXTH200N10T
fabbricante IXYS IXYS IXYS IXYS
Tensione drain-source (Vdss) 2500 V 500 V 600 V 100 V
Numero di prodotto di base IXTH1 IXTH20 IXTH20 IXTH200
Pacchetto Tube Tube Tube Tube
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 41 nC @ 10 V 103 nC @ 10 V 170 nC @ 10 V 152 nC @ 10 V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1660 pF @ 25 V 5120 pF @ 25 V 4500 pF @ 25 V 9400 pF @ 25 V
Caratteristica FET - - - -
Contenitore dispositivo fornitore TO-247AD TO-247 (IXTH) TO-247 (IXTH) TO-247 (IXTH)
Tipo FET N-Channel P-Channel N-Channel N-Channel
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4.5V @ 250µA 4.5V @ 250µA
Rds On (max) a Id, Vgs 40Ohm @ 750mA, 10V 450mOhm @ 10A, 10V 350mOhm @ 10A, 10V 5.5mOhm @ 50A, 10V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 1.5A (Tc) 20A (Tc) 20A (Tc) 200A (Tc)
Contenitore / involucro TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
Serie - PolarP™ MegaMOS™ Trench
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)

IXTH1N250 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IXTH1N250 PDF e la documentazione IXYS per IXTH1N250 - IXYS.

Schede tecniche
IXTH1N250.pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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