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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloIXTH200N10T
IXTH200N10T Image
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IXTH200N10T - IXYS

fabbricante Modello di prodotti
IXTH200N10T
fabbricante
IXYS Corporation
Allelco Modello di prodotti
32D-IXTH200N10T
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 100V 200A TO247
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-247-3
Scheda dati
IXT(H,Q)200N10T.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 8617

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche IXTH200N10T
Specifiche tecniche IXYS - IXTH200N10T, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad IXYS - IXTH200N10T

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante IXYS Corporation  
Vgs (th) (max) a Id 4.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-247 (IXTH)  
Serie Trench  
Rds On (max) a Id, Vgs 5.5mOhm @ 50A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 550W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-247-3  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 9400 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 152 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 100 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 200A (Tc)  
Numero di prodotto di base IXTH200  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di IXYS IXTH200N10T

Proprietà del prodotto IXTH200N10T IXTH1N250 IXTH180N10T IXTH20P50P
Modello di prodotti IXTH200N10T IXTH1N250 IXTH180N10T IXTH20P50P
fabbricante IXYS IXYS IXYS IXYS
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel P-Channel
Tensione drain-source (Vdss) 100 V 2500 V 100 V 500 V
Vgs (Max) ±30V - ±30V ±20V
Rds On (max) a Id, Vgs 5.5mOhm @ 50A, 10V 40Ohm @ 750mA, 10V 6.4mOhm @ 25A, 10V 450mOhm @ 10A, 10V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 9400 pF @ 25 V 1660 pF @ 25 V 6900 pF @ 25 V 5120 pF @ 25 V
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Pacchetto Tube Tube Tube Tube
Dissipazione di potenza (max) 550W (Tc) - 480W (Tc) 460W (Tc)
Caratteristica FET - - - -
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 200A (Tc) 1.5A (Tc) 180A (Tc) 20A (Tc)
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V - 10V 10V
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) - -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 152 nC @ 10 V 41 nC @ 10 V 151 nC @ 10 V 103 nC @ 10 V
Contenitore dispositivo fornitore TO-247 (IXTH) TO-247AD TO-247 (IXTH) TO-247 (IXTH)
Numero di prodotto di base IXTH200 IXTH1 IXTH180 IXTH20
Serie Trench - Trench PolarP™
Contenitore / involucro TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
Vgs (th) (max) a Id 4.5V @ 250µA 4V @ 250µA 4.5V @ 250µA 4V @ 250µA

IXTH200N10T Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IXTH200N10T PDF e la documentazione IXYS per IXTH200N10T - IXYS.

Schede tecniche
IXT(H,Q)200N10T.pdf

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
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Europa Germania 5
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Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
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