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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloIXTH13N80
IXTH13N80 Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.
OPZIONE ESPRIT
Metodo di pagamento

IXTH13N80 - IXYS

fabbricante Modello di prodotti
IXTH13N80
fabbricante
IXYS Corporation
Allelco Modello di prodotti
32D-IXTH13N80
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 800V 13A TO247
Pacchetto
TO-247-3
Scheda dati
IXT(H,M)(11,13)N80.pdf
Stato RoHS
La nostra certificazione
In magazzino: 4370

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Quantità
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Specifiche

Specifiche tecnologiche IXTH13N80
Specifiche tecniche IXYS - IXTH13N80, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad IXYS - IXTH13N80

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante IXYS Corporation  
Vgs (th) (max) a Id 4.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-247 (IXTH)  
Serie MegaMOS™  
Rds On (max) a Id, Vgs 800mOhm @ 500mA, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 300W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-247-3  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 4500 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 170 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 800 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 13A (Tc)  
Numero di prodotto di base IXTH13  

Classificazioni ambientali e di esportazione

ATTRIBUTO DESCRIZIONE
Stato RoHS
Livello di sensibilità all'umidità (MSL) 1 (Unlimited)
Raggiungere lo stato REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di IXYS IXTH13N80

Proprietà del prodotto IXTH13N80 IXTH150N17T IXTH130N15T IXTH14N80
Modello di prodotti IXTH13N80 IXTH150N17T IXTH130N15T IXTH14N80
fabbricante IXYS IXYS IXYS IXYS
Numero di prodotto di base IXTH13 IXTH150 IXTH130 IXTH14
Tensione drain-source (Vdss) 800 V 175 V 150 V 800 V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Serie MegaMOS™ TrenchHV™ Trench MegaMOS™
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 13A (Tc) 150A (Tc) 130A (Tc) 14A (Tc)
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Caratteristica FET - - - -
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 170 nC @ 10 V 155 nC @ 10 V 113 nC @ 10 V 170 nC @ 10 V
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Pacchetto Tube Tube Tube Tube
Rds On (max) a Id, Vgs 800mOhm @ 500mA, 10V 12mOhm @ 75A, 10V 12mOhm @ 65A, 10V 700mOhm @ 500mA, 10V
Dissipazione di potenza (max) 300W (Tc) 830W (Tc) 750W (Tc) 300W (Tc)
Contenitore / involucro TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 4500 pF @ 25 V 9800 pF @ 25 V 9800 pF @ 25 V 4500 pF @ 25 V
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Vgs (Max) ±20V ±30V ±30V ±20V
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Vgs (th) (max) a Id 4.5V @ 250µA 5V @ 1mA 4.5V @ 1mA 4.5V @ 250µA
Contenitore dispositivo fornitore TO-247 (IXTH) TO-247 (IXTH) TO-247 (IXTH) TO-247 (IXTH)

IXTH13N80 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IXTH13N80 PDF e la documentazione IXYS per IXTH13N80 - IXYS.

Schede tecniche
IXT(H,M)(11,13)N80.pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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