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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloIXTH12N65X2
IXTH12N65X2 Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

IXTH12N65X2 - IXYS

fabbricante Modello di prodotti
IXTH12N65X2
fabbricante
IXYS Corporation
Allelco Modello di prodotti
32D-IXTH12N65X2
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 650V 12A TO247-3
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-247-3
Scheda dati
IXTx12N65X2.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 17760

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche IXTH12N65X2
Specifiche tecniche IXYS - IXTH12N65X2, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad IXYS - IXTH12N65X2

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante IXYS Corporation  
Vgs (th) (max) a Id 5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-247 (IXTH)  
Serie Ultra X2  
Rds On (max) a Id, Vgs 300mOhm @ 6A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 180W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-247-3  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1100 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 17 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 650 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 12A (Tc)  
Numero di prodotto di base IXTH12  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di IXYS IXTH12N65X2

Proprietà del prodotto IXTH12N65X2 IXTH140P05T IXTH110N10L2 IXTH12N100
Modello di prodotti IXTH12N65X2 IXTH140P05T IXTH110N10L2 IXTH12N100
fabbricante IXYS IXYS IXYS IXYS
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) - -55°C ~ 150°C (TJ)
Numero di prodotto di base IXTH12 IXTH140 IXTH110 IXTH12
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 17 nC @ 10 V 200 nC @ 10 V 260 nC @ 10 V 170 nC @ 10 V
Serie Ultra X2 TrenchP™ Linear L2™ MegaMOS™
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Tipo FET N-Channel P-Channel N-Channel N-Channel
Rds On (max) a Id, Vgs 300mOhm @ 6A, 10V 9mOhm @ 70A, 10V 18mOhm @ 500mA, 10V 1.05Ohm @ 6A, 10V
Dissipazione di potenza (max) 180W (Tc) 298W (Tc) 600W (Tc) 300W (Tc)
Vgs (th) (max) a Id 5V @ 250µA 4V @ 250µA 4.5V @ 250µA 4.5V @ 250µA
Contenitore dispositivo fornitore TO-247 (IXTH) TO-247 (IXTH) TO-247 (IXTH) TO-247 (IXTH)
Tensione drain-source (Vdss) 650 V 50 V 100 V 1000 V
Caratteristica FET - - - -
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 12A (Tc) 140A (Tc) 110A (Tc) 12A (Tc)
Pacchetto Tube Tube Bulk Tube
Vgs (Max) ±30V ±15V ±20V ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1100 pF @ 25 V 13500 pF @ 25 V 10500 pF @ 25 V 4000 pF @ 25 V
Contenitore / involucro TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3

IXTH12N65X2 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IXTH12N65X2 PDF e la documentazione IXYS per IXTH12N65X2 - IXYS.

Schede tecniche
IXTx12N65X2.pdf

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
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Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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